[發明專利]微電子成像單元和以晶片級制造微電子成像單元的方法

無效

• 申請號: 200680038599.1
• 申請日: 2006-08-31
• 公開（公告）號: CN101292352A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 史蒂文·D·奧利弗;陸·韋利基;威廉·M·希亞特;戴維·R·亨布里;馬克·E·塔特爾;悉尼·里格;詹姆斯·沃克;沃倫·M·法恩沃思;凱爾·柯比
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 王允方

1.一種制造多個微電子成像單元的方法，所述方法包含：

提供具有多個成像電路小片的成像器工件，所述成像電路小片包括集成電路、電耦合到所述集成電路的外部接點和可操作地耦合到所述集成電路的圖像傳感器，所述各個圖像傳感器包括位于所述圖像傳感器的周邊部分處的至少一個暗電流像素；

在所述工件上并在所述圖像傳感器上方沉積覆蓋層；和

對所述覆蓋層進行圖案化和選擇性顯影，以在相應圖像傳感器上方形成若干離散體積的覆蓋層材料，所述離散體積具有與所述各個暗電流像素的內側邊緣對準的側壁，使得所述暗電流像素不被所述離散體積覆蓋。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包含：

在所述離散體積的覆蓋層材料之間并在所述暗電流像素上方向所述工件上沉積不透明材料；和

從所述工件移除所述離散體積的覆蓋層材料。

3.根據權利要求2所述的方法，其進一步包含在從所述工件移除所述覆蓋層材料之前，對所述不透明材料和/或所述覆蓋層材料的頂部表面進行平坦化。

4.根據權利要求2所述的方法，其中在所述工件上沉積不透明材料包含沉積環氧樹脂材料。

5.根據權利要求2所述的方法，其中提供多個具有圖像傳感器的成像電路小片包含提供具有(a)呈所需圖案的有效像素陣列，和(b)圍繞所述圖像傳感器的所述周邊部分的多個暗電流像素的圖像傳感器，且其中所述暗電流像素的所述內側邊緣鄰近于至少一個有效像素，且其中所述方法進一步包含：

在所述工件上并在相應圖像傳感器上方構建彩色濾光片陣列(CFA)；和

在向所述工件上沉積所述不透明材料之后且在從所述工件移除所述覆蓋層之前，對所述不透明材料和所述覆蓋層的頂部表面進行平坦化。

6.根據權利要求5所述的方法，其進一步包含在向所述工件上沉積所述覆蓋層之前，在所述圖像傳感器上的所述CFA上方形成微透鏡。

7.根據權利要求5所述的方法，其進一步包含在向所述工件上沉積所述覆蓋層之前，在所述微透鏡上方沉積氧化物涂層。

8.根據權利要求5所述的方法，其進一步包含在沉積所述覆蓋層之后且在向所述工件上沉積所述不透明材料之前，剝除所述CFA的在所述圖像傳感器的周邊部分處的剩余藍色部分。

9.根據權利要求1所述的方法，其中提供多個具有圖像傳感器的成像電路小片包含形成具有(a)呈所需圖案的有效像素陣列，和(b)圍繞所述圖像傳感器的所述周邊部分的多個暗電流像素的圖像傳感器，且其中所述暗電流像素的所述內側邊緣鄰近于至少一個有效像素。

10.根據權利要求9所述的方法，其進一步包含：

在所述工件上并在相應圖像傳感器上方構建CFA；

在所述圖像傳感器上的所述CFA上方形成微透鏡；和

在向所述工件上沉積所述覆蓋層之前，在所述微透鏡上方沉積氧化物涂層。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述離散體積的覆蓋層材料包含位于所述圖像傳感器上方的覆蓋層材料塊。

12.根據權利要求1所述的方法，其中提供所述外部接點包含構建導電互連件，所述導電互連件與相應端子接觸且延伸穿過所述各個電路小片的至少一部分。

13.根據權利要求1所述的方法，其中在所述工件上沉積覆蓋層包含在所述工件上并在所述圖像傳感器上方沉積抗蝕劑層。