[發明專利]使用抗反射膜以降低光串擾的固態成像器和形成方法

有效

• 申請號: 200680038501.2
• 申請日: 2006-08-24
• 公開（公告）號: CN101292520A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 李久滔
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H04N5/335
• 分類號: H04N5/335;H01L27/146
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 王允方

1.一種裝置，其包含：

像素陣列，其含有多個像素，每個像素具有像素電路；

傳導線，其用于與所述像素電路進行電連接；

抗反射膜，其提供在所述傳導線的垂直側面上；和

絕緣層，其提供在所述抗反射膜的與所述傳導線相對的側面上，

其中所述傳導線，所述抗反射膜和所述絕緣層一起作用以降低光子反射。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述絕緣層包含SiO₂。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中所述抗反射膜是耐熱金屬或耐熱金屬的合金。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中所述耐熱金屬是鉭和鈦中的一者。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中所述傳導線包含反射金屬。

6.根據權利要求5所述的裝置，其中所述反射金屬包括鋁。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中所述像素電路是CMOS像素電路。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中所述傳導線在至少兩個相對側面上具備所述抗反射膜。

9.根據權利要求8所述的裝置，其中所述傳導線在所述兩個相對側面上且在頂部與底部的至少一者上具備所述抗反射膜。

10.根據權利要求8所述的裝置，其中只有所述傳導線的兩個相對側面具備所述抗反射膜。

11.根據權利要求1所述的裝置，其中所述抗反射膜具有亞微米厚度。

12.根據權利要求11所述的裝置，其中所述厚度小于或為約20nm。

13.根據權利要求11所述的裝置，其中所述厚度小于或為約10nm。

14.根據權利要求1所述的裝置，其中所述抗反射膜降低所述傳導線的所述部分的總反射率。

15.根據權利要求14所述的裝置，其中所述抗反射膜將總反射率降低到低于約0.5的值。

16.根據權利要求14所述的裝置，其中所述抗反射膜將總反射率降低到低于約0.4的值。

17.根據權利要求1所述的裝置，其中所述傳導線包含鋁。

18.根據權利要求1所述的裝置，其中每個像素電路包含至少M1、M2和M3金屬化層，且所述傳導線設置在所述M1、M2和M3金屬化層的至少一選定層中。

19.一種CMOS成像器，其包含：

襯底；和

成像器像素陣列，其以行與列排列在所述襯底上，每個成像器像素包含：

電路元件，其包括經排列和配置以接收傳入光的光傳感器；

傳導線，其電連接所述電路元件；

抗反射膜，其提供在所述傳導線的垂直側面上；和

絕緣層，其提供在所述抗反射膜的與所述傳導線相對的側面上，

其中所述傳導線，所述抗反射膜和所述絕緣層一起作用以降低光子反射。

20.根據權利要求19所述的CMOS成像器，其中所述絕緣層包含SiO₂。

21.根據權利要求19所述的CMOS成像器，其中所述抗反射膜是耐熱金屬或耐熱金屬的合金。

22.根據權利要求21所述的CMOS成像器，其中所述耐熱金屬是鉭和鈦中的一者。

23.根據權利要求19所述的CMOS成像器，其中所述傳導線包含反射金屬。

24.根據權利要求23所述的CMOS成像器，其中所述反射金屬包括鋁。

25.根據權利要求19所述的CMOS成像器，其中所述傳導線在至少兩個相對側面上具備所述抗反射膜。

26.根據權利要求25所述的CMOS成像器，其中只有所述傳導線的兩個相對側面具備所述抗反射膜。

27.根據權利要求19所述的CMOS成像器，其中所述抗反射膜具有亞微米厚度。

28.根據權利要求27所述的CMOS成像器，其中所述厚度小于或為約10nm。