[發明專利]保密性薄膜

有效

• 申請號: 200680038159.6
• 申請日: 2006-10-13
• 公開（公告）號: CN101287595A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 格雷厄姆·M·克萊克;保羅·D·格雷厄姆;布倫特·R·漢森;特拉維斯·B·霍姆;大衛·F·斯拉瑪
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: B32B27/00
• 分類號: B32B27/00;B32B1/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 郇春艷;郭國清

1.一種保密性薄膜，所述保密性薄膜包括：

透光性聚合物基片，其包含第一聚合材料，所述基片具有相對的第一和第二表面；以及

多個導光元件，其包含第二聚合材料，其中每個元件均具有基座、高度h和沿高度方向設置的短軸，其中所述元件從所述基片的第一表面伸出，并且其中每個元件均這樣設置，使得一個元件的短軸基本上平行于下一個鄰近元件的短軸，并且一個元件的基座與下一個鄰近元件的基座不相連。

2.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件以大于約15°且小于約90°的傾斜角設置在所述基片上，其中所述傾斜角在所述基片的第一表面和所述元件的短軸之間形成。

3.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件具有一個元件到下一個鄰近元件的中心至中心間距P，并且其中h∶P的比率為從約0.5到5。

4.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件沿垂直于所述短軸方向測量的寬度大于約25微米且小于約750微米。

5.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件的橫截面尺寸基本上是恒定的。

6.根據權利要求5所述的保密性薄膜，其中所述元件進一步包含反光材料。

7.根據權利要求6所述的保密性薄膜，其中所述反光材料選自由下列物質組成的組：二氧化鈦、氧化鋅、硫化鋅、磷酸鋅、碳酸鈣、氧化鋁、二氧化硅、氧化銻、硫酸鋇、鋅鋇白、煅燒高嶺土、碳酸鉛、氧化鎂、以及它們的組合。

8.根據權利要求7所述的保密性薄膜，其中所述元件進一步包含涂覆在其頂端上的吸光材料。

9.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述第一或第二聚合材料是選自由熱塑性聚合物和彈性體組成的組。

10.根據權利要求9所述的保密性薄膜，其中所述熱塑性聚合物選自由下列物質組成的組：聚丙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、丙烯酸鹽-改性的的乙烯-醋酸乙烯酯聚合物、乙烯丙烯酸共聚物、尼龍、聚氯乙烯、以及它們的組合。

11.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述第一聚合材料不同于所述第二聚合材料。

12.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述第一聚合材料與所述第二聚合材料基本上相同。

13.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件包含位于所述基片第一表面遠側的第一區域和接近所述基片第一表面的第二區域。

14.根據權利要求13所述的保密性薄膜，其中所述第一區域與所述第二區域的高度比為從約3∶0.1。

15.根據權利要求13所述的保密性薄膜，其中所述第一區域包含吸光材料，所述第二區域包含反光材料。

16.根據權利要求15所述的保密性薄膜，

其中所述反光材料選自由下列物質組成的組：二氧化鈦、氧化鋅、硫化鋅、磷酸鋅、碳酸鈣、氧化鋁、二氧化硅、氧化銻、硫酸鋇、鋅鋇白、煅燒高嶺土、碳酸鉛、氧化鎂、以及它們的組合；并且

其中所述吸光材料選自由下列物質組成的組：炭黑、黑尖晶石、黑金紅石、鐵黑、以它們的組合。

17.根據權利要求1所述的保密性薄膜，所述薄膜還包括設置在所述基片第二表面上的透光性粘結劑。

18.根據權利要求17所述的保密性薄膜，其中所述粘結劑為可重新定位的粘結劑。

19.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述第一或第二聚合材料的熔融指數大于約0.5且小于約200。

20.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件具有頂端，并且一個元件的頂端沿垂直于所述基片第一表面的線量取，緊挨著所述下一個鄰近元件的基座放置。

21.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件具有頂端，并且一個元件所述頂端的位置沿垂直于所述基片第一表面的線量取，懸于所述下一個鄰近元件的基座之上。

22.根據權利要求1所述的保密性薄膜，其中所述元件包含位于其頂端的延伸部分。