[發明專利]接合裝置有效
| 申請號: | 200680038066.3 | 申請日: | 2006-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN101288152A | 公開(公告)日: | 2008-10-15 |
| 發明(設計)人: | 平田篤彥 | 申請(專利權)人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/603;H05K3/36 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 方曉虹 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接合 裝置 | ||
1.一種接合裝置,其特征在于,包括:
第一塊體部件,該第一塊體部件利用一側端面來把持第一電子元件;
第一加壓部件,該第一加壓部件與所述第一塊體部件隔開第一空間部配置并朝規定方向對所述第一塊體部件加壓;
多個棒狀的第一撓性部件,該第一撓性部件設置在所述第一空間部內,處于與所述第一塊體部件的中心同心的圓周上且相互形成等間隔,與所述第一塊體部件的另一側端面連接并將來自所述第一加壓部件的加壓力傳遞給所述第一塊體部件;
第二塊體部件,該第二塊體部件設置成可與所述第一塊體部件相對,利用一側端面來把持與所述第一電子元件接合的第二電子元件;
第二加壓部件,該第二加壓部件與所述第二塊體部件隔開第二空間部配置并朝所述第二塊體部件推壓所述第一塊體部件的方向對所述第二塊體部件加壓;
多個棒狀的第二撓性部件,該第二撓性部件設置在所述第二空間部內,處于與所述第二塊體部件的中心同心的圓周上且相互形成等間隔,與所述第二塊體部件的另一側端面連接并將來自所述第二加壓部件的加壓力傳遞給所述第二塊體部件;以及
加熱部件,該加熱部件對所述第一塊體部件和所述第二塊體部件加熱。
2.如權利要求1所述的接合裝置,其特征在于,在所述第一塊體部件或所述第二塊體部件的至少一方上形成有貫通部,該貫通部在厚度方向上貫通所述第一塊體部件或所述第二塊體部件。
3.如權利要求2所述的接合裝置,其特征在于,所述第一塊體部件或所述第二塊體部件的厚度方向一側的所述貫通部的開口面積大于厚度方向另一側的所述貫通部的開口面積。
4.如權利要求1至3中任一項所述的接合裝置,其特征在于,
所述加熱部件是加熱片,
所述第一塊體部件包括:第一壓板部,該第一壓板部把持所述第一電子元件;第一背板部,該第一背板部與所述第一壓板部連接并具有與所述第一壓板部的線膨脹系數相同或大致相同的線膨脹系數;以及所述加熱片,該加熱片與所述第一背板部連接并對所述第一壓板部加熱,還具有與所述第一壓板部的線膨脹系數相同或大致相同的線膨脹系數,
所述第二塊體部件包括:第二壓板部,該第二壓板部把持所述第二電子元件;第二背板部,該第二背板部與所述第二壓板部連接并具有與所述第二壓板部的線膨脹系數相同或大致相同的線膨脹系數;以及所述加熱片,該加熱片與所述第二背板部連接并對所述第二壓板部加熱,還具有與所述第二壓板部的線膨脹系數相同或大致相同的線膨脹系數。
5.如權利要求4所述的接合裝置,其特征在于,所述第一壓板部和所述第二壓板部是導體,所述第一背板部和所述第二背板部是絕緣體。
6.如權利要求4或5所述的接合裝置,其特征在于,
在所述第一壓板部與所述第一背板部之間形成有供冷卻用氣體流動的第一冷卻用氣體流路,
在所述第二壓板部與所述第二背板部之間形成有供冷卻用氣體流動的第二冷卻用氣體流路。
7.如權利要求6所述的接合裝置,其特征在于,
所述第一撓性部件使所述冷卻用氣體在內部流動,兼具將所述冷卻用氣體向所述第一冷卻用氣體流路供給的冷卻氣體供給功能,
所述第二撓性部件使所述冷卻用氣體在內部流動,兼具將所述冷卻用氣體向所述第二冷卻用氣體流路供給的冷卻氣體供給功能。
8.如權利要求4至7中任一項所述的接合裝置,其特征在于,包括:
將所述第一電子元件吸附在所述第一壓板部上的第一吸附部件、以及
將所述第二電子元件吸附在所述第二壓板部上的第二吸附部件。
9.如權利要求8所述的接合裝置,其特征在于,
所述第一吸附部件包括:形成在所述第一壓板部上的多個第一吸附槽、以及使從所述第一吸附槽吸入的空氣進行流動的第一中空導管,
所述第二吸附部件包括:形成在所述第二壓板部上的多個第二吸附槽、以及使從所述第二吸附槽吸入的空氣進行流動的第二中空導管。
10.如權利要求9所述的接合裝置,其特征在于,所述第一中空導管通過第一彈性部件與所述第一加壓部件連接,所述第二中空導管通過第二彈性部件與所述第二加壓部件連接。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





