[發(fā)明專利]發(fā)光體無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680038009.5 | 申請(qǐng)日: | 2006-10-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101287811A | 公開(公告)日: | 2008-10-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 上田正;山內(nèi)省更;金森二郎;林義定 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 可樂麗璐密奈絲株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C09K11/87 | 分類號(hào): | C09K11/87 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光體 | ||
1.一種用于生產(chǎn)發(fā)光材料的無機(jī)復(fù)合物的生產(chǎn)方法,其中,該方法包括使主要含有化合物半導(dǎo)體的無機(jī)組合物在密封容器中通過火藥和/或炸藥進(jìn)行爆炸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無機(jī)復(fù)合物的生產(chǎn)方法,其中,該無機(jī)組合物含有銥元素。
3.一種無機(jī)組合物,其含有作為主要組分的化合物半導(dǎo)體和銥元素。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的無機(jī)組合物,其含有過渡金屬、鹵素或稀土元素。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的無機(jī)組合物,其中,該化合物半導(dǎo)體是II-VI族化合物半導(dǎo)體。
6.一種用于生產(chǎn)發(fā)光材料的無機(jī)復(fù)合物,其從根據(jù)權(quán)利要求3至5任一項(xiàng)的無機(jī)組合物獲得。
7.一種生產(chǎn)無機(jī)復(fù)合物的方法,其中,該方法包括熱處理根據(jù)權(quán)利要求3至5任一項(xiàng)的無機(jī)組合物。
8.一種生產(chǎn)發(fā)光材料的方法,其中,該方法包括熱處理由根據(jù)權(quán)利要求1或7的方法獲得的無機(jī)復(fù)合物。
9.一種發(fā)光材料,其由根據(jù)權(quán)利要求8的方法獲得。
10.一種無機(jī)EL器件,其使用根據(jù)權(quán)利要求9的發(fā)光材料。
11.一種無機(jī)EL器件,其包括:
至少兩個(gè)電極;和
由根據(jù)權(quán)利要求9的發(fā)光材料組成并設(shè)置在所述電極之間的光發(fā)射體層;
其中,在直流電驅(qū)動(dòng)期間達(dá)到的器件亮度為10,000cd/m2以上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的無機(jī)EL器件,其中,該光發(fā)射體層的厚度為0.05μm至100μm。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的無機(jī)EL器件,其中,該光發(fā)射體層包括多個(gè)具有彼此不同的組成的發(fā)光層。
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