[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法有效
| 申請號: | 200680037904.5 | 申請日: | 2006-10-06 |
| 公開(公告)號: | CN101288157A | 公開(公告)日: | 2008-10-15 |
| 發明(設計)人: | 松浦廣行;中尾賢 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205;C23C16/455;H01L21/31 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 劉春成 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種處理裝置,其包括:
多層搭載被處理基板的保持具;
收納所述保持具,并在規定的溫度和壓力的處理氣體氛圍下對被處理基板實施規定的熱處理的處理容器;
向所述處理容器內導入處理氣體的氣體導入部;
將所述處理容器內真空排氣至規定的壓力的排氣部;和
對所述處理容器進行加熱的加熱部,
該處理裝置的特征在于:
在所述保持具上設置有當被收納于所述處理容器內時針對每個被處理基板形成處理空間的隔壁板,
所述氣體導入部具有以位于各處理空間的一側側面的方式設置的氣體導入孔,
所述排氣部在各處理空間的另一側側面具有以與所述氣體導入孔相對的方式設置的排氣孔。
2.一種處理裝置,其包括:
多層搭載保持被處理基板的保持具;
收納所述保持具,并在規定的溫度和壓力的處理氣體氛圍下對被處理基板實施規定的熱處理的處理容器;
向所述處理容器內導入處理氣體的氣體導入部;
將所述處理容器內真空排氣至規定的壓力的排氣部;和
對所述處理容器內的被處理基板進行加熱的加熱部,
該處理裝置的特征在于:
所述保持具的載置被處理基板的各載置板形成為,當將所述保持具收納在所述處理容器內時形成每個被處理基板的處理空間的環狀隔壁板,
所述氣體導入部具有以位于各處理空間的一側側面的方式設置的氣體導入孔,
所述排氣部在各處理空間的另一側側面具有以與所述氣體導入孔相對的方式設置的排氣孔。
3.如權利要求1或2所述的處理裝置,其特征在于:
所述處理容器具有由內管部與外管部構成的雙層管結構,
內管部與外管部的上端均被封閉,
所述保持具收納在內管部內,
在內管部與外管部之間形成的空間部與所述排氣部連通。
4.如權利要求3所述的處理裝置,其特征在于:
所述氣體導入部具有沿垂直方向延伸的氣體導入管,
在內管部的內表面形成有收納氣體導入管的收納槽部。
5.如權利要求3所述的處理裝置,其特征在于:
所述氣體導入部具有沿垂直方向設置在所述空間部的氣體導入路。
6.如權利要求3~5中的任一項所述的處理裝置,其特征在于:
當所述保持具收納在所述內管部內時,在所述內管部的內周面與所述保持具的外周面之間形成有容許所述保持具旋轉的微小間隙。
7.一種處理方法,其為使用處理裝置對被處理基板實施規定的熱處理的處理方法,所述處理裝置包括:
多層搭載被處理基板的保持具;
收納所述保持具,并在規定的溫度和壓力的處理氣體氛圍下對被處理基板實施規定的熱處理的處理容器;
向所述處理容器內導入處理氣體與不活潑氣體的氣體導入部;
將所述處理容器內真空排氣至規定的壓力的排氣部;和
對所述處理容器進行加熱的加熱部,
該處理裝置的特征在于:
在所述保持具上設置有當被收納于所述處理容器內時針對每個被處理基板形成處理空間的隔壁板,
所述氣體導入部具有以位于各處理空間的一側側面的方式設置的氣體導入孔,
所述排氣部在各處理空間的另一側側面具有以與所述氣體導入孔相對的方式設置的排氣孔,
該處理方法的特征在于,包括:
熱處理工序,其通過從氣體導入孔將處理氣體導入每個處理空間并從排氣孔進行排氣,形成與被處理基板平行的處理氣體的氣流,并對被處理基板實施規定的熱處理;和
吹掃處理工序,其在所述熱處理工序之后,通過從氣體導入孔導入不活潑氣體并從排氣孔進行排氣,對每個處理空間實施吹掃處理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





