[發(fā)明專利]具有磁場(chǎng)補(bǔ)償?shù)拇艂鞲衅髟O(shè)備

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680037719.6
• 申請(qǐng)日: 2006-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN101283264A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·A·H·M·卡爾曼;H·杜里克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G01N15/06
• 分類號(hào): G01N15/06;G01N33/543;G01N35/00;G01R33/09;G01R33/12
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 陳松濤;王英

1、一種磁傳感器設(shè)備(10、110)，包括：

a)至少一個(gè)用于在研究區(qū)域中產(chǎn)生第一磁場(chǎng)(B₁)的磁場(chǎng)發(fā)生器(11、111a、111b)；

b)至少一個(gè)具有靈敏度方向(D)的相關(guān)聯(lián)的磁傳感器元件(12、112)；

c)至少一個(gè)用于產(chǎn)生第二磁場(chǎng)(B₂)的磁場(chǎng)補(bǔ)償器(13、113a、113b)；

d)耦合至所述磁場(chǎng)發(fā)生器(11、111a、111b)和所述磁場(chǎng)補(bǔ)償器(13、113a、113b)的控制器(15、115)，其用于控制所述第一磁場(chǎng)和所述第二磁場(chǎng)(B₁、B₂)的產(chǎn)生；

其中設(shè)計(jì)所述磁傳感器設(shè)備(10、110)，使得它允許下述操作模式，在該操作模式中，所述第一磁場(chǎng)和第二磁場(chǎng)(B₁、B₂)在所述磁傳感器元件(12、112)中相對(duì)于它的所述靈敏度方向(D)基本抵消。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器設(shè)備(10、110)，其特征在于，相對(duì)于所述磁傳感器元件(12、112)的所述靈敏度方向(D)，對(duì)稱布置所述磁場(chǎng)發(fā)生器(11、111a、111b)和所述磁場(chǎng)補(bǔ)償器(13、13a、113b)。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器設(shè)備(10、110)，其特征在于，所述磁場(chǎng)發(fā)生器(11、111a、111b)和/或所述磁場(chǎng)補(bǔ)償器(13、13a、113b)包括導(dǎo)體導(dǎo)線。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器設(shè)備，其特征在于，所述磁傳感器元件(12、112)是磁電阻元件，優(yōu)選是巨磁電阻，或隧道磁電阻或者各向異性磁電阻，和/或霍爾傳感器。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器設(shè)備(10、110)，其特征在于，所述磁傳感器元件(12、112)設(shè)置在多個(gè)磁場(chǎng)發(fā)生器(11、111a、11b)和相同數(shù)量的磁場(chǎng)補(bǔ)償器(13、113a、113b)之間的中間，其中所述磁場(chǎng)發(fā)生器(11、111a、111b)的結(jié)構(gòu)和所述磁場(chǎng)補(bǔ)償器(13、113a、113b)的結(jié)構(gòu)相同。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器設(shè)備(10、110)，其特征在于，它被實(shí)現(xiàn)為集成電路。

7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器設(shè)備(10、110)，其特征在于，所述控制器(15、115)適用于在第二操作模式中控制所述第一磁場(chǎng)和所述第二磁場(chǎng)(B₁、B₂)，使得它們?cè)谒鲅芯繀^(qū)域中基本抵消。

8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁傳感器設(shè)備(10、110)，其特征在于，所述控制器(15、115)適用于基于所述第二操作模式來校準(zhǔn)所述磁傳感器元件(12、112)。

9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器設(shè)備(10、110)，其特征在于，它包括一個(gè)能量源，其給所述磁場(chǎng)發(fā)生器(11、111a、111b)和所述磁場(chǎng)補(bǔ)償器(13、113a、113b)供電。

10、一種用于在研究區(qū)域中檢測(cè)至少一種磁性粒子(2)的方法，所述方法包括下列步驟：

a)在所述研究區(qū)域中產(chǎn)生第一磁場(chǎng)(B₁)；

b)產(chǎn)生第二磁場(chǎng)(B₂)，使得它在磁傳感器元件(12、112)的靈敏度方向(D)上基本抵消所述第一磁場(chǎng)(B₁)；

c)利用所述磁傳感器元件(12、112)感測(cè)所述粒子(2)的磁性。

11、根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一磁場(chǎng)和所述第二磁場(chǎng)(B₁、B₂)由相等幅值的并聯(lián)電流(I₁、I₂)產(chǎn)生。

12、根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，它進(jìn)一步包括下列步驟：

d)改變所述磁場(chǎng)(B₁、B₂)，使得它們?cè)谒鲅芯繀^(qū)域中基本抵消，以及基于該狀況來校準(zhǔn)所述磁傳感器元件(12、112)。

13、根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的磁傳感器設(shè)備(10)的使用，以用于分子診斷、生物樣品分析或化學(xué)樣品分析。