[發(fā)明專利]CMP用研磨液及研磨方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680037661.5
• 申請日: 2006-10-10
• 公開（公告）號: CN101283441A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 筱田隆;野部茂;櫻田剛史;大森義和;木村忠廣
• 申請（專利權(quán)）人: 日立化成工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 鐘晶

1.一種CMP研磨液，其特征在于：其至少研磨導(dǎo)體層以及與所述導(dǎo)體層接觸的導(dǎo)電性物質(zhì)層，在電位計的正極側(cè)與上述導(dǎo)電性物質(zhì)連接、負極側(cè)與上述導(dǎo)體連接的該研磨液中的導(dǎo)電性物質(zhì)和導(dǎo)體在50±5℃時的電位差絕對值為0.25V以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMP研磨液，其中，包括降低導(dǎo)體與導(dǎo)電性物質(zhì)的所述電位差絕對值的添加劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMP研磨液，其中，包括選自雜環(huán)化合物中的至少1種作為降低上述電位差絕對值的添加劑，所述雜環(huán)化合物含有羥基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亞磺酰基中的任1種且包含氮和硫原子中的至少1種。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的CMP研磨液，其中，所述雜環(huán)化合物在銅絡(luò)合物的研磨液中的溶解度在液溫25℃時為1重量％以上，其中所述銅絡(luò)合物的研磨液為在向研磨液中添加硫酸銅(II)時所生成。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMP研磨液，其中，包括選自胺化合物、酰胺化合物和亞砜化合物中的至少1種作為降低所述電位差絕對值的添加劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項所述的CMP研磨液，其中，包括選自雜環(huán)化合物中的至少1種和選自胺化合物、酰胺化合物以及亞砜化合物中的至少1種，所述雜環(huán)化合物含有羥基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亞磺酰基中的任1種且包含氮和硫原子中的至少1種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的CMP研磨液，其中，所述導(dǎo)體包括選自鉭、氮化鉭、鉭合金、其他的鉭化合物、鈦、氮化鈦、鈦合金、其他的鈦化合物、鎢、氮化鎢、鎢合金、其他的鎢化合物、釕、其他的釕化合物中的至少1種；所述導(dǎo)電性物質(zhì)為銅、銅合金、銅的氧化物、銅合金的氧化物、鎢、鎢合金、銀、銀合金或金。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的CMP研磨液，其中，所述導(dǎo)電性物質(zhì)為銅。

9.一種CMP研磨液，其特征在于：研磨在表面具有導(dǎo)電性物質(zhì)(a)和導(dǎo)體(b)的被研磨面，其中導(dǎo)電性物質(zhì)(a)以銅為主成分，導(dǎo)體(b)為選自鉭、氮化鉭、鉭合金、其他的鉭化合物、鈦、氮化鈦、鈦合金、其他的鈦化合物、鎢、氮化鎢、鎢合金、其他的鎢化合物、釕和其他的釕化合物中的至少1種，電位計的正極側(cè)與導(dǎo)電性物質(zhì)(a)連接、負極側(cè)與導(dǎo)電性物質(zhì)(b)連接的該研磨液中的導(dǎo)電性物質(zhì)(a)和導(dǎo)體(b)在50±5℃的電位差絕對值為0.25V以下。

10.一種CMP研磨液，其特征在于：研磨具有層間絕緣膜、阻擋導(dǎo)體層和導(dǎo)電性物質(zhì)層的基板，其中所述層間絕緣膜的表面包括凹部和凸部，所述阻擋導(dǎo)體層沿表面覆蓋所述層間絕緣膜，所述導(dǎo)電性物質(zhì)層填充所述凹部而覆蓋阻擋導(dǎo)體層且以銅為主成分，該研磨液中包括選自雜環(huán)化合物中的至少1種，所述雜環(huán)化合物含有羥基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亞磺酰基中的任1種且包含氮和硫原子中的至少1種。

11.一種CMP研磨液，其特征在于：研磨在表面具有導(dǎo)電性物質(zhì)(a)和導(dǎo)體(b)的被研磨面，其中導(dǎo)電性物質(zhì)(a)以銅為主成分，導(dǎo)體(b)為選自鉭、氮化鉭、鉭合金、其他的鉭化合物、鈦、氮化鈦、鈦合金、其他的鈦化合物、鎢、氮化鎢、鎢合金、其他的鎢化合物、釕和其他的釕化合物中的至少1種，該研磨液中包括選自雜環(huán)化合物中的至少1種，所述雜環(huán)化合物含有羥基、羰基、羧基、氨基、酰胺基以及亞磺酰基中的任1種且包含氮和硫原子中的至少1種。

12.一種CMP研磨液，其特征在于：研磨具有層間絕緣膜、阻擋導(dǎo)體層和導(dǎo)電性物質(zhì)層的基板，其中所述層間絕緣膜的表面包括凹部和凸部，所述阻擋導(dǎo)體層沿表面覆蓋所述層間絕緣膜，所述導(dǎo)電性物質(zhì)層填充所述凹部而覆蓋阻擋導(dǎo)體層且以銅為主成分，該研磨液中包括選自胺化合物、酰胺化合物以及亞砜化合物中的至少1種。

13.一種CMP研磨液，其特征在于：研磨在表面具有導(dǎo)電性物質(zhì)(a)和導(dǎo)體(b)的被研磨面，其中導(dǎo)電性物質(zhì)(a)以銅為主成分，導(dǎo)體(b)為選自鉭、氮化鉭、鉭合金、其他的鉭化合物、鈦、氮化鈦、鈦合金、其他的鈦化合物、鎢、氮化鎢、鎢合金、其他的鎢化合物、釕和其他的釕化合物中的至少1種，該研磨液中包括選自胺化合物、酰胺化合物以及亞砜化合物中的至少1種。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的CMP研磨液，其中，包括研磨粒子。