[發(fā)明專利]中空二氧化硅粒子及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680037266.7 | 申請(qǐng)日： | 2006-07-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101282907A | 公開（公告）日： | 2008-10-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬修·大衛(wèi)·巴茨;薩拉·伊麗莎白·吉諾維斯;保羅·伯切爾·格拉澤;達(dá)里爾·斯蒂芬·威廉姆斯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 莫門蒂夫功能性材料公司 |
| 主分類號(hào)： | C01B33/18 | 分類號(hào)： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 王海川;樊衛(wèi)民 |
| 地址： | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 中空 二氧化硅 粒子 及其 制備 方法 | ||
1.用于制備含二氧化硅的中空粒子的方法，包括步驟：
制造模板粒子；
向所述模板粒子的表面提供偶聯(lián)劑；
在所述模板粒子上提供含硅的化合物以沉積含二氧化硅的殼，從而在所述模板粒子上產(chǎn)生基本均勻的涂層；以及
通過如下方式消除所述模板粒子，首先將所述模板粒子加熱至約325℃～約525℃的第一溫度持續(xù)第一段時(shí)間，然后將所述粒子加熱至約525℃～約900℃的第二溫度持續(xù)第二段時(shí)間，由此制備二氧化硅中空粒子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子包括聚合物材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子包括由選自苯乙烯、α-甲基苯乙烯及其混合物的單體組成的聚合物材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子是聚苯乙烯。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模板材料是在水懸浮液中，所述水懸浮液具有被調(diào)節(jié)至約8～約12的pH范圍內(nèi)的pH值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括提供引發(fā)劑的步驟，所述引發(fā)劑選自過硫酸鹽、有機(jī)氫過氧化物和偶氮引發(fā)劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子在沒有表面活性劑的條件下制造。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子制造步驟進(jìn)一步包括提供表面活性劑的步驟，所述表面活性劑選自烷基硫酸鹽、烷基磺酸鹽、線型烷基芳基磺酸鹽、及其混合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括步驟：
向所述模板提供增容劑，所述增容劑選自苯基三烷氧基硅烷和(3-氨基丙基)三烷氧基硅烷。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述模板粒子上凝結(jié)的含硅化合物選自四烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、烷氧基硅烷、硅酸鹽、膠態(tài)二氧化硅、有機(jī)硅低聚物、低聚倍半硅氧烷以及硅聚合物。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述含硅化合物選自四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷和四甲氧基硅烷。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子的平均粒度在約200nm～約700nm的范圍內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子的平均粒度在約250nm～約600nm的范圍內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模板粒子通過如下方式消除：首先將所述模板粒子加熱至約375℃～約475℃的第一溫度約2～約6小時(shí)的第一段時(shí)間，然后將所述粒子加熱至約550℃～約700℃的第二溫度約2～約6小時(shí)的第二段時(shí)間。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一和第二溫度是通過應(yīng)用約1℃/min～約10℃/min的升溫速率來(lái)獲得的。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在消除所述模板粒子之后，所獲得含二氧化硅的中空粒子是白色的。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的方法所制備的粒子。
18.一種包含根據(jù)權(quán)利要求1的方法所制備的粒子的材料，其中所述粒子基本上不能滲透十甲基環(huán)戊硅氧烷，其中所述材料不是化妝品材料。
19.用于制備含二氧化硅的中空粒子的方法，包括步驟：
制造具有約250nm～約600nm的平均粒度的模板粒子；
向所述模板粒子表面提供偶聯(lián)劑；
在所述模板粒子上提供含硅的化合物以沉積含二氧化硅的殼，從而在所述模板粒子上產(chǎn)生基本均勻的涂層；和
通過如下方式消除所述模板粒子，首先將所述模板粒子加熱至約375℃～約475℃的第一溫度約2～約6小時(shí)的第一段時(shí)間，然后將所述粒子加熱至約550℃～約700℃的第二溫度約2～約6小時(shí)的第二段時(shí)間，由此制備二氧化硅中空粒子。
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