[發明專利]半導體設備的制作方法

無效

• 申請號: 200680036623.8
• 申請日: 2006-08-16
• 公開（公告）號: CN101506956A
• 公開（公告）日: 2009-08-12
• 發明（設計）人: 馬凌
• 申請（專利權）人: 國際整流器公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司
• 代理人: 周建秋;王鳳桐

1、一種功率半導體設備的制作方法，該方法包括：

在半導體主體的表面上覆蓋掩膜體；

去除所述掩膜體的一部分以定義延伸至所述半導體主體的開口；

從所述開口的底部去除半導體以定義多個柵極溝槽和設置在該柵極溝槽周圍的終止溝槽，所述柵極溝槽被臺面結構相互隔開；

去除所述掩膜體；

氧化所述柵極溝槽的側壁；

沉積柵電極材料；

蝕刻所述柵電極材料以使柵電極留在所述柵極溝槽中；

注入溝道摻雜物以定義鄰近所述柵極溝槽的體區；

在所述體區上形成源極掩膜；

通過所述源極掩膜注入源極摻雜物以形成源極注入區；

在所述半導體主體上沉積低密度氧化物；

沉積接觸掩膜；

通過所述接觸掩膜蝕刻所述低密度氧化物；

在所述半導體主體的頂部沉積金屬層；

在所述金屬層的頂部形成前面金屬掩膜；以及

蝕刻所述金屬層以形成至少一個源極接點和柵極流道。

2、根據權利要求1所述的方法，該方法還包括：

至少在所述柵極溝槽的側壁和所述終止溝槽的側壁上形成氧化抑制體；

在所述柵極溝槽的底部和所述終止溝槽的底部生長厚氧化體。

3、根據權利要求1所述的方法，該方法還包括：

在氧化所述柵極溝槽的側壁之前去除所述氧化抑制體；

氧化所述臺面結構；

在所述臺面結構上沉積柵電極材料；

從所述臺面結構上蝕刻掉柵電極材料；以及

在源極注入之前從所述臺面結構上蝕刻掉氧化物。

4、根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體主體是外延生長硅。

5、根據權利要求1所述的方法，其中所述掩膜體是包括氮化硅的硬掩膜。

6、根據權利要求1所述的方法，其中所述氧化抑制體由氮化硅構成。

7、根據權利要求1所述的方法，其中所述低密度氧化物由正硅酸乙酯構成。

8、根據權利要求1所述的方法，其中所述柵極材料由多晶硅構成。

9、根據權利要求1所述的方法，該方法還包括在所述掩膜體中定義等勢環開口；以及去除所述半導體主體的一部分以定義在所述終止溝槽周圍的等勢環。

10、根據權利要求1所述的方法，其中所述功率半導體設備為金屬氧化層半導體場效晶體管。

11、根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體主體設置在半導體基片上并且該方法還包括在所述基片上形成背面金屬層。