[發明專利]形狀記憶裝置

有效

• 申請號: 200680035573.1
• 申請日: 2006-09-27
• 公開（公告）號: CN101273456A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發明（設計）人: 桑迪普·蒂瓦里;金楨雨
• 申請（專利權）人: 康奈爾研究基金公司;三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8246;H01L41/00;B81B3/00;H01L27/12;G11C13/02;H01L21/336;H01L27/06;G11C11/00;H01L29/788;H01L27/10;G11C23/00;H01L21/8247;H0
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 黃啟行;穆德駿

1.一種存儲器裝置，包括：

晶體管，具有柵極、漏極和源極；以及

雙穩態納米尺度結構，連接至所述晶體管。

2.如權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述雙穩態納米尺度結構具有兩個穩態位置，這兩個穩態位置對所述晶體管的導電性具有不同的影響。

3.如權利要求2所述的存儲器裝置，還包括電路，與所述納米尺度結構連接，以改變所述兩個穩態位置之間的所述納米尺度結構。

4.如權利要求3所述的存儲器裝置，其中所述電路用熱或者靜電改變所述兩個穩態位置之間的所述納米尺度結構。

5.如權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述雙穩態納米尺度結構包括導體，所述導體在應力下形成于兩個支撐之間，可驅動為釋放了所述應力的不同的穩定形狀。

6.如權利要求5所述的存儲器裝置，其中兩個不同的形狀包括向上彎曲的形狀和向下彎曲的形狀，并且其中所述導體充當所述晶體管的柵極。

7.如權利要求6所述的存儲器裝置，其中所述柵極在所述晶體管的溝道上方，在形狀上變形為兩個穩定狀態。

8.如權利要求6所述的存儲器裝置，還包括板電極，所述板電極用于通過在所述板電極與所述柵極之間施加電勢，使所述柵極變形。

9.如權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述結構包括：應力多晶硅膜、應力金屬膜、頂部帶硅化物的應力多晶硅膜或者頂部帶金屬的應力多晶硅膜。

10.如權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述雙穩態納米結構包括開關，所述開關具有在穩態位置之間移動以打開和閉合所述開關的臂，其中所述開關在交叉點開關配置中連接至其它開關和存儲器裝置。

11.一種存儲器裝置，包括：

晶體管，具有柵極、漏極和源極；以及

用于以雙穩態納米尺度機械方式改變所述晶體管的狀態的器件。

12.一種基于晶體管的存儲器裝置，具有柵極和溝道，所述裝置包括：

應力柵極，具有兩個雙穩態位置；

用于可控制地移動所述柵極至不同的雙穩態位置的器件；以及

溝道，接近所述柵極，使得所述溝道的電特性是所述柵極的位置的函數。

13.一種存儲器裝置，包括：

晶體管，具有浮柵，所述浮柵調節漏極與源極之間的電流；以及

溫度驅動形狀記憶開關，連接至所述晶體管，用于將所述晶體管編程為溫度的函數。

14.如權利要求13所述的存儲器裝置，其中所述溫度驅動形狀記憶開關連接在所述柵極與所述漏極之間。

15.如權利要求13所述的存儲器裝置，其中所述溫度驅動形狀記憶開關連接至所述漏極并改變漏極電壓。

16.如權利要求13所述的存儲器裝置，其中所述存儲器開關包括側壁，所述側壁由可拉長或可壓縮的膜形成。

17.如權利要求13所述的存儲器裝置，其中所述晶體管為平面的、垂直的，或者形成在導電性硅溝道的鰭上。

18.一種存儲器結構，其中形狀記憶合金與晶體管相結合以提供陣列隨機存儲器訪問。

19.一種交叉點開關，包括：

多個交叉的導體的導電行和列；

多個可驅動開關，其中開關位于所述行和列的各個交叉點上，使得各個交叉點可單獨尋址。

20.如權利要求19所述的交叉點開關，還包括多個字線，所述字線靜電地連接至所述開關，以可控制地驅動所述開關。

21.如權利要求19所述的交叉點開關，其中所述可驅動開關選自由形狀記憶合金、雙金屬材料、導電性有機物、形狀改變分子以及納米管構成的組。

22.一種存儲器，在交叉點具有導通-斷開開關，其導通位置通過使用字線柵極施加的靜電力驅動。

23.如權利要求22所述的存儲器，其中在交叉點的所述開關能夠通過以下方式斷開：克服將所述開關保持在導通位置的力而流過允許所述開關斷開的更高電流。