[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680035564.2
• 申請(qǐng)日: 2006-09-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101273467A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 浦島泰人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昭和電工株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括襯底、在所述襯底上的氮化物半導(dǎo)體層和在所述氮化物半導(dǎo)體上的電極，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法的特征在于通過(guò)激光進(jìn)行的器件加工，隨后是蝕刻處理，然后是電極的形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述通過(guò)激光進(jìn)行的器件加工實(shí)現(xiàn)對(duì)所述氮化物半導(dǎo)體層的至少一部分的去除。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述通過(guò)激光進(jìn)行的器件加工實(shí)現(xiàn)在所述發(fā)光器件的所述半導(dǎo)體層中的溝槽和/或用于分離成各個(gè)發(fā)光器件的圍繞所述器件的周邊的所述半導(dǎo)體層中的分離槽的形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任何一項(xiàng)的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述激光的能量高于所述氮化物半導(dǎo)體層的至少一部分的帶隙能量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任何一項(xiàng)的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述蝕刻處理是濕法蝕刻。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述濕法蝕刻是采用正磷酸的濕法蝕刻。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任何一項(xiàng)的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述蝕刻處理是干法蝕刻。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述干法蝕刻是采用氯基氣體的干法蝕刻。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任何一項(xiàng)的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，在所述激光器件加工之前通過(guò)干法蝕刻進(jìn)行所述激光器件加工的對(duì)準(zhǔn)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任何一項(xiàng)的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，對(duì)蝕刻之后的所述氮化物半導(dǎo)體層的表面的至少一部分進(jìn)行非鏡面處理。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任何一項(xiàng)的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，通過(guò)蝕刻在激光加工部分處形成傾斜的表面。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，在所述蝕刻處理之后形成于所述氮化物半導(dǎo)體上的電極的至少一部分與所述傾斜的表面接觸。