[發明專利]氮化物半導體發光器件的制造方法有效
| 申請號： | 200680035564.2 | 申請日： | 2006-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN101273467A | 公開（公告）日： | 2008-09-24 |
| 發明（設計）人： | 浦島泰人 | 申請（專利權）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 | 代理人： | 楊曉光;于靜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 發光 器件 制造 方法 | ||
1.一種氮化物半導體發光器件的制造方法，所述氮化物半導體發光器件包括襯底、在所述襯底上的氮化物半導體層和在所述氮化物半導體上的電極，所述氮化物半導體發光器件的制造方法的特征在于通過激光進行的器件加工，隨后是蝕刻處理，然后是電極的形成。
2.根據權利要求1的氮化物半導體發光器件的制造方法，其特征在于，所述通過激光進行的器件加工實現對所述氮化物半導體層的至少一部分的去除。
3.根據權利要求1或2的氮化物半導體發光器件的制造方法，其特征在于，所述通過激光進行的器件加工實現在所述發光器件的所述半導體層中的溝槽和/或用于分離成各個發光器件的圍繞所述器件的周邊的所述半導體層中的分離槽的形成。
4.根據權利要求1至3中任何一項的氮化物半導體發光器件的制造方法，其特征在于，所述激光的能量高于所述氮化物半導體層的至少一部分的帶隙能量。
5.根據權利要求1至4中任何一項的氮化物半導體發光器件的制造方法，其特征在于，所述蝕刻處理是濕法蝕刻。
6.根據權利要求5的氮化物半導體發光器件的制造方法，其特征在于，所述濕法蝕刻是采用正磷酸的濕法蝕刻。
7.根據權利要求1至4中任何一項的氮化物半導體發光器件的制造方法，其特征在于，所述蝕刻處理是干法蝕刻。
8.根據權利要求7的氮化物半導體發光器件的制造方法，其特征在于，所述干法蝕刻是采用氯基氣體的干法蝕刻。
9.根據權利要求1至8中任何一項的氮化物半導體發光器件的制造方法，其特征在于，在所述激光器件加工之前通過干法蝕刻進行所述激光器件加工的對準。
10.根據權利要求1至9中任何一項的氮化物半導體發光器件的制造方法，其特征在于，對蝕刻之后的所述氮化物半導體層的表面的至少一部分進行非鏡面處理。
11.根據權利要求1至10中任何一項的氮化物半導體發光器件的制造方法，其特征在于，通過蝕刻在激光加工部分處形成傾斜的表面。
12.根據權利要求11的氮化物半導體發光器件的制造方法，其特征在于，在所述蝕刻處理之后形成于所述氮化物半導體上的電極的至少一部分與所述傾斜的表面接觸。
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