[發(fā)明專利]具有傳導性阻擋層和箔基底的光生伏打器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680034955.2
• 申請日: 2006-08-16
• 公開（公告）號: CN101268608A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發(fā)明（設計）人: C·R·萊德霍爾姆;B·博爾曼;J·R·希茨;S·考;M·R·羅施希爾森
• 申請（專利權）人: 納米太陽能公司
• 主分類號: H02N6/00
• 分類號: H02N6/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 任宗華

1.一種方法，它包括：

提供基底；和

在基底上形成吸收劑層。

2.一種方法，它包括：

提供由至少一種導電鋁箔基底組成的基底、至少一層導電擴散阻擋 層和在該擴散阻擋層上的至少一層導電的電極層，其中擴散阻擋層防止 鋁箔基底和電極層之間的化學相互作用；和

在基底上形成吸收劑層。

3.權利要求2的方法，其中吸收劑層包括非硅的吸收劑層。

4.權利要求2的方法，其中吸收劑層包括無定形硅的吸收劑層。

5.權利要求2的方法，其中吸收劑層包括選自由下述組成的組中 的一種或更多種無機材料：氧化鈦(TiO₂)、納米晶體TiO₂、氧化鋅(ZnO)、 氧化銅(CuO或Cu₂O或Cu_xO_y)、氧化鋯、氧化鑭、氧化鈮、氧化錫、氧 化銦、氧化錫銦(ITO)、氧化釩、氧化鉬、氧化鎢、氧化鍶、氧化鈣/鈦 和其他氧化物、鈦酸鈉、鈮酸鉀、硒化鎘(CdSe)、硫化鎘(CdS)、硫化 銅(Cu₂S)、碲化鎘(CdTe)、硒化鎘-碲(CdTeSe)、硒化銦銅(CuInSe₂)、 氧化鎘(CdO_x)、CuI、CuSCN、半導體材料或上述的任何結合物。

6.權利要求2的方法，其中吸收劑層包括選自由下述組成的組中 的一種或更多種有機材料：共軛聚合物，聚(亞苯基)及其衍生物、聚(亞 苯基亞乙烯基)及其衍生物(例如，聚(2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧 基)-1，4-亞苯基亞乙烯基(MEH-PPV)、聚(對亞苯基-亞乙烯基)、(PPV))、 PPV共聚物、聚(噻吩)及其衍生物(例如聚(3-辛基噻吩-2，5-二基)、區(qū) 域規(guī)則、聚(3-辛基噻吩-2，5-二基)、區(qū)域無規(guī)、聚(3-己基噻吩-2，5- 二基)、區(qū)域規(guī)則、聚(3-己基噻吩-2，5-二基)、區(qū)域無規(guī))、聚(亞噻吩 基亞乙烯基)及其衍生物，和聚(異硫茚)及其衍生物、2，2`，7，7`-四 (N，N-二對甲氧基苯基胺)-9，9`-螺雙芴(螺-Me?OTAD)、有機金屬聚合 物，含有苝單元的聚合物、聚(squara?ines)及其衍生物，和盤狀液晶、 有機顏料或染料、釕基染料、液體碘化物/三碘化物電解質、具有連接 芳族基團的偶氮生色團(-N＝N-)的偶氮染料、酞菁，其中包括不含金屬 的酞菁；(HPc)、苝、苝衍生物、酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)、 naphthalocyanine、squaraines、部花青和它們各自的衍生物、聚(硅 烷)、聚(germinate)、2，9-二(戊-3-基)-蒽[2，1，9-def：6，5，10-d`e`f`] 二異喹啉-1，3，8，10-四酮和2，9-雙(1-己基-庚-1-基)-蒽 [2，1，9-def：6，5，10-d`e`f`]二異喹啉-1，3，8，10-四酮和并五苯、并五 苯衍生物和/或并五苯前體，N-型梯狀聚合物、聚(苯并咪唑基苯并菲咯 啉梯)(BBL)或上述的任何結合物。

7.權利要求2的方法，其中吸收劑層包括選自由下述組成的組中 的一種或更多種材料：低聚物材料、微晶硅、在有機基體內分散的無機 納米棒、在有機基體內分散的無機四腳錐體、量子點(quantum?dot)材 料、離子傳導性聚合物凝膠、含離子液體的溶膠-凝膠納米復合材料、 離子導體、低分子量的有機空穴導體、C60和/或其他小分子，或上述的 結合物。

8.權利要求2的方法，其中吸收劑層包括下述中的一種：具有孔 隙被有機材料填充的無機多孔模板的納米結構層(摻雜或未摻雜)、聚合 物/共混物電池結構、微晶硅電池結構，或上述的結合物。

9.權利要求2的方法，其中形成步驟包括首先形成新生的吸收劑 層。

10.權利要求3的方法，它進一步包括使新生的吸收劑層反應，形 成致密膜。

11.權利要求2的方法，它進一步包括加熱新生的吸收劑層，形成 致密膜。