[發(fā)明專利]具有改進的微粒性能的主動加熱鋁擋板部件及其應用和制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680034900.1
• 申請日: 2006-09-11
• 公開（公告）號: CN101268544A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發(fā)明（設計）人: 施洪;G·格蘭特·彭;任大興
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;C25D5/44;C23C16/455;C25D5/00;C23C16/50;C23C16/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余剛;尚志峰

1.一種等離子處理室的主動加熱鋁擋板部件，所述鋁擋板部件具 有暴露的外部氧化鋁層，其中所述外部氧化鋁層由電解拋光過 程形成。

2.根據權利要求1所述的部件，其中所述外部氧化鋁層包括在所 述鋁擋板部件上的不可剝離層。

3.根據權利要求1所述的部件，其中所述外部氧化鋁層具有0.5 微米的最大厚度。

4.根據權利要求1所述的部件，其中所述部件包括擋板環(huán)。

5.根據權利要求1所述的部件，其中所述部件包括熱控制板。

6.根據權利要求1所述的部件，其中所述部件由鋁合金制成。

7.根據權利要求1所述的部件，其中所述部件由Al6061-T6制 成。

8.根據權利要求1所述的部件，其中所述部件是新的或用過的。

9.一種在等離子蝕刻室中安裝根據權利要求1所述的部件的方 法，其中，從噴頭電極組件去除使用過的擋板部件，清洗和電 解拋光所述部件以形成所述電解拋光層，并將電解拋光后的所 述部件安裝在所述噴頭電極組件中，或者用具有由電解拋光形 成的外部氧化鋁層的新的擋板部件替換所述使用過的擋板部 件。

10.一種制造等離子處理室的主動加熱鋁擋板部件的方法，所述方 法包括在鋁部件上形成暴露的外部氧化鋁層，其中所述外部氧 化鋁層通過電解拋光形成,使得與由在其上具有類型III陽極 氧化層的相同形狀的鋁部件所生成的缺陷和微粒相比，由于所 述鋁部件和外部氧化鋁層在等離子處理過程中經歷的有區(qū)別 的熱應力所產生的缺陷和微粒減少。

11.根據權利要求10所述的方法，其中導致減少的缺陷和微粒的 所述外部氧化鋁層包括在所述鋁部件上的不可剝離層。

12.根據權利要求10所述的方法，其中導致減少的缺陷和微粒的 所述外部氧化鋁層具有0.5微米的最大厚度。

13.根據權利要求10所述的方法，其中導致減少的缺陷和微粒的 所述外部氧化鋁層包括鄰接所述鋁部件的、具有最大厚度為 0.1微米的無孔層。

14.根據權利要求10所述的方法，其中導致減少的缺陷和微粒的 所述外部氧化鋁層被形成在使用過的鋁部件上。

15.根據權利要求10所述的方法，其中所述鋁部件包括擋板環(huán)。

16.根據權利要求10所述的方法，其中所述鋁部件包括熱控制板。

17.根據權利要求10所述的方法，其中所述鋁包括鋁合金。

18.根據權利要求10所述的方法，其中所述鋁包括Al6061-T6。

19.根據權利要求10所述的方法，其中所述鋁部件是新的或者使 用過的。

20.根據權利要求10所述的方法，其中將所述鋁部件機械加工為 需要的結構、清洗并電解拋光以形成所述氧化層。

21.一種等離子處理裝置，包括：

等離子處理室；以及

根據權利要求1所述的鋁擋板部件。

22.根據權利要求21所述的等離子處理裝置，其中所述等離子處 理裝置包括等離子蝕刻室，所述等離子蝕刻室具有頂部噴頭電 極和底部電極，所述噴頭電極包括具有主動加熱熱控制板的噴 頭電極組件部分。

23.根據權利要求22所述的等離子處理裝置，其中所述鋁擋板部 件包括所述熱控制板。

24.根據權利要求22所述的等離子處理裝置，其中所述鋁擋板部 件包括位于所述熱控制板和所述頂部電極之間的空間內的擋 板環(huán)。

25.一種等離子處理方法，所述方法包括在根據權利要求21所述 的等離子處理裝置中處理半導體基片。