[發(fā)明專利]用于處理隔離的襯底邊緣區(qū)域的方法和設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680034408.4
• 申請日: 2006-08-17
• 公開（公告）號: CN101268542A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 喬爾·B·貝利;喬納森·多昂;保羅·F·福德哈森;約翰尼·D·奧爾蒂斯;邁克爾·D·羅賓斯
• 申請（專利權(quán)）人: 美國阿可利技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;G03F7/16;H01L21/00
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 徐江華;王珍仙

1、一種襯底邊緣處理設(shè)備，包括：

卡盤，用于夾持襯底；

隔離部構(gòu)件，包括噴嘴歧管和排氣壓力通風(fēng)部，其中，所述噴嘴歧管覆蓋所述襯底邊緣的一部分，所述排氣壓力通風(fēng)部遠離所述襯底而延伸；

在所述噴嘴歧管中的一個或多個槽，所述一個或多個槽從襯底的邊緣處或其鄰近處，然后在所述襯底的近邊緣表面之上并跨越該表面延伸至所述襯底的邊緣處或其鄰近處，從而形成用于將活性反應(yīng)組分的流動限制在所述襯底的近邊緣的通風(fēng)部；

設(shè)置在所述噴嘴歧管中的一個或多個噴嘴，其中所述一個或多個噴嘴中的至少一個噴嘴以介于垂直和平行于所述卡盤的頂表面之間的角度設(shè)置在所述隔離部中。

2、一種襯底邊緣處理設(shè)備，包括：

處理腔，其保持大致為大氣壓的壓力，用于容納和處理襯底；

卡盤，其處于所述處理腔內(nèi)，用于支持和轉(zhuǎn)動所述襯底；

殼體，其至少部分地處于所述處理腔內(nèi)，并具有排氣部分和用于隔離所述襯底表面的一部分的隔離部部分，其中所述殼體的排氣部分遠離所述襯底的表面而延伸；

至少一個氣體壓力通風(fēng)部，其設(shè)置在所述隔離部部分中，并開口朝向所述襯底的表面，用于防止活性反應(yīng)組分移出所述殼體；

惰性氣體管線，其與所述至少一個氣體壓力通風(fēng)部連通，用于供應(yīng)惰性氣體；和

多個噴嘴，其設(shè)置在隔離部部分中，介于所述氣體壓力通風(fēng)部與排氣壓力通風(fēng)部之間，其中至少一個噴嘴以小于垂直于所述襯底表面、且大于平行于所述襯底表面的角度指向襯底的表面。

3、一種襯底晶片邊緣處理方法，用于隔離和處理晶片的待處理部分，其中，所述待處理部分從所述晶片的邊緣越過晶片的頂表面延伸至所述晶片的邊緣，所述方法包括：

在所述晶片的待處理部分與所述晶片的其余部分之間形成正壓差障壘；和

將活性反應(yīng)組分以大于平行于晶片的頂表面、且小于垂直于晶片的頂表面的角度導(dǎo)向所述晶片的待處理部分。

4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底晶片邊緣處理方法，進一步包括在卡盤上轉(zhuǎn)動所述晶片。

5、根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底晶片邊緣處理方法，進一步包括在所述待處理部分的邊緣處或其鄰近處提供一個或多個壓力通風(fēng)部，用于接收氣流并在所述晶片的待處理部分與其余部分之間形成壓力障壘。

6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底晶片邊緣處理方法，進一步包括使惰性氣體流入所述一個或多個壓力通風(fēng)部。

7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述惰性氣體為氬氣。

8、根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底晶片邊緣處理方法，其中所述方法在大致為大氣壓的壓力下進行。

9、根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底晶片邊緣處理方法，其中在將燃燒火焰引導(dǎo)至所述襯底的表面上之前，將所述襯底的表面預(yù)熱。

10、根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底晶片邊緣處理方法，其中在燃燒火焰將被導(dǎo)至的位置附近預(yù)熱所述襯底的表面。

11、根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底晶片邊緣處理方法，其中所述方法在基本上非電離的環(huán)境中進行。

12、根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底晶片邊緣處理方法，其中所述活性反應(yīng)組分通過氫和三氟化氮的燃燒火焰形成。

13、根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述氫與所述三氟化氮的摩爾比為3∶2。

14、根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底晶片邊緣處理方法，其中所述活性反應(yīng)組分通過燃燒火焰形成，所述燃燒火焰被導(dǎo)向晶片的邊緣區(qū)域。

15、根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中轉(zhuǎn)動所述晶片，其中所述晶片的表面的邊緣部分被蝕刻。

16、根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底晶片邊緣處理方法，其中被處理的材料為SiO₂。

17、根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底晶片邊緣處理方法，其中被蝕刻的材料為Si。

18、根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底晶片邊緣處理方法，其中被蝕刻的材料為Ta。

19、一種根據(jù)權(quán)利要求3所述方法處理的襯底晶片。