[發(fā)明專利]包括硅化物縱梁移除工藝的半導(dǎo)體制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680033747.0
• 申請日: 2006-08-29
• 公開（公告）號: CN101553905A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 達(dá)爾邁什·賈瓦拉尼;約翰·R·阿爾維斯;邁克爾·G·哈里森;萊奧·馬修;約翰·E·摩爾;羅德·R·莫拉
• 申請（專利權(quán)）人: 飛思卡爾半導(dǎo)體公司
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 梁曉廣;陸錦華

1.一種半導(dǎo)體制造方法，包括：

形成覆蓋柵介電層的柵電極，其中柵介電層覆蓋晶片襯底；

形成襯墊介電層，其包括鄰接?xùn)烹姌O側(cè)壁的垂直部分和覆蓋半導(dǎo)體襯底上表面的水平部分；

形成延伸間隙壁，其鄰接襯墊介電層的垂直部分，并且覆蓋襯墊介電層的水平部分；

在所述延伸間隙壁形成之后，移除襯墊介電層的暴露部分，以形成由延伸間隙壁覆蓋的襯墊介電結(jié)構(gòu)，并暴露襯底的一部分；

回蝕延伸間隙壁，從而顯現(xiàn)該襯墊介電結(jié)構(gòu)的末端；

在所述回蝕之后，移除襯墊介電結(jié)構(gòu)的暴露末端的至少一部分；以及

在襯底的暴露部分上形成硅化物。

2.如權(quán)利要求1的方法，其中形成該襯墊介電層包括在晶片上沉積保形的氧化物。

3.如權(quán)利要求2的方法，其中形成延伸間隙壁包括在襯墊介電層上沉積氮化硅層，以及各向異性地蝕刻該氮化硅層。

4.如權(quán)利要求3的方法，進(jìn)一步包括，在所述回蝕之前，在晶片上非選擇性地沉積金屬層。

5.如權(quán)利要求4的方法，其中沉積金屬層包括濺射沉積該金屬層。

6.如權(quán)利要求1的方法，其中所述移除暴露末端的至少一部分包括濺射清洗所述晶片。

7.如權(quán)利要求6的方法，其中所述濺射清洗包括利用氬離子的射頻濺射。

8.一種半導(dǎo)體制造方法，包括：

在鄰接于導(dǎo)電電極的襯墊介電層上形成間隙壁；

移除襯墊介電層的暴露部分以形成襯墊介電結(jié)構(gòu)；

沉積金屬層；

在所述金屬層與半導(dǎo)體接觸處選擇性地形成硅化物，并移除該金屬層的其它部分；

回蝕間隙壁以暴露所述襯墊介電結(jié)構(gòu)的末端；以及

移除該襯墊介電結(jié)構(gòu)的暴露末端。

9.如權(quán)利要求8的方法，其中所述間隙壁的形成包括在氧化物襯墊層上形成氮化硅間隙壁。

10.如權(quán)利要求8的方法，其中移除襯墊介電層的暴露部分包括在HF溶液中濕法蝕刻暴露部分。

11.如權(quán)利要求8的方法，其中沉積金屬層包括濺射沉積選自由鈦、鈷、鎳、鈀、鉑和它們的合金構(gòu)成的組中的金屬。

12.如權(quán)利要求8的方法，進(jìn)一步包括，在所述回蝕之后，在食人魚溶液中清洗晶片。

13.如權(quán)利要求8的方法，其中回蝕間隙壁包括干法蝕刻該間隙壁。

14.如權(quán)利要求13的方法，其中所述移除暴露末端包括濺射清洗晶片。

15.如權(quán)利要求14的方法，其中所述濺射清洗包括利用氬離子的射頻濺射。

16.一種半導(dǎo)體制造方法，包括：

在鄰接?xùn)烹姌O側(cè)壁的襯墊介電層上形成間隙壁，所述柵電極位于晶片襯底上；

以濕法蝕刻移除襯墊介電層的暴露部分，其中濕法蝕刻在介電層的末端部分產(chǎn)生凹陷的凹口；

濺射沉積金屬層；

回蝕間隙壁以暴露介電層的末端部分；以及

移除該介電層的暴露的末端部分。

17.如權(quán)利要求16的方法，其中回蝕間隙壁包括干法蝕刻該間隙壁。

18.如權(quán)利要求17的方法，其中移除介電層的暴露末端部分包括濺射蝕刻該介電層的暴露部分。

19.如權(quán)利要求18的方法，其中濺射沉積進(jìn)一步包括預(yù)清洗，其中所述預(yù)清洗包括濺射蝕刻。

20.如權(quán)利要求16的方法，進(jìn)一步包括：

退火晶片以使與硅接觸的金屬層發(fā)生反應(yīng)。