[發明專利]用于測量一種介質的流動速度的方法

無效

• 申請號: 200680033708.0
• 申請日: 2006-09-05
• 公開（公告）號: CN101263366A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: G·斯坦格
• 申請（專利權）人: 齊魯姆專利Ⅱ有限及兩合公司
• 主分類號: G01F1/58
• 分類號: G01F1/58
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 吳鵬;馬江立

1.用于在一由磁場穿過的體積里測量一種介質的流動速度的方法，其特征在于，測量與所述體積相鄰設置的半導體的電阻，并利用計算機由所述電阻求得介質的流動速度。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述體積是一管段的內部空間，并且所述半導體設置管壁上。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在管壁基本上分別成對地彼此相對的部位上這樣設置至少兩個半導體，從而使兩個半導體之間的連線垂直于介質的流動方向并基本上垂直于磁場的方向。

4.根據上述權利要求之一所述的方法，其特征在于，所述介質是不導電的并且可電極化的。

5.根據上述權利要求之一所述的方法，其特征在于，在半導體和介質之間設置一絕緣層，所述絕緣層抑制介質和半導體之間的電荷交換。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述絕緣層具有盡可能小的介電常數。

7.根據上述權利要求之一所述的方法，其特征在于，該方法采用永磁場。

8.根據上述權利要求之一所述的方法，其特征在于，所述半導體設計成一場效應晶體管(FET)的柵極，其中所述場效應晶體管設置在所述體積的至少一個邊界面上。

9.根據權利要求3或8所述的方法，其特征在于，將至少兩個相對設置的FET的基體置于相同的電勢。

10.根據上述權利要求之一所述的方法，其特征在于，由半導體的變化的電阻確定的測量回路與位于介質中的測量段在電上相互脫離，并將該測量回路用于與外部的測量及處理電路進行阻抗匹配。