[發明專利]用交替高低溫度層阻塞寄生電流通路的制造超晶格的方法

無效

• 申請號: 200680033664.1
• 申請日: 2006-09-14
• 公開（公告）號: CN101263248A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: P·布里杰;R·比奇
• 申請（專利權）人: 國際整流器公司
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B25/00;C30B28/12;C30B28/14
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司
• 代理人: 周建秋;王鳳桐

1.一種用于制造半導體器件的方法，該方法包括：

提供襯底；以及

在生長時間周期期間，在所述襯底的主表面上生長III族氮化物主體至最終厚度，其中在所述生長時間周期期間，生長溫度是變化的。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述生長溫度是從低溫到高溫連續變化的。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述生長溫度是從高溫到低溫連續變化的。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述生長溫度是循環變化的，每個循環包括處于高溫的高溫生長周期以及處于低溫的低溫生長周期。

5.根據權利要求4所述的方法，其中在每個循環中所述低溫是變化的。

6.根據權利要求4所述的方法，其中在每個循環中所述高溫是變化的。

7.根據權利要求4所述的方法，其中在每個循環中所述低溫和所述高溫是變化的。

8.根據權利要求4所述的方法，其中在每個循環中所述高溫是相同的。

9.根據權利要求4所述的方法，其中在每個循環中所述低溫是相同的。

10.根據權利要求4所述的方法，其中在每個循環中所述低溫是相同的并且在每個循環中所述高溫是相同的。

11.根據權利要求4所述的方法，其中所述高溫生長周期是變化的。

12.根據權利要求4所述的方法，其中所述低溫生長周期是變化的。

13.根據權利要求4所述的方法，其中所述高溫生長周期和所述低溫生長周期是變化的。

14.根據權利要求4所述的方法，其中所述高溫生長周期等于所述低溫生長周期。

15.根據權利要求4所述的方法，其中所述高溫生長周期不同于所述低溫生長周期。

16.根據權利要求4所述的方法，其中所述生長溫度是連續變化的。

17.根據權利要求4所述的方法，其中所述生長溫度是按不連續的階梯變化的。

18.根據權利要求4所述的方法，其中高生長溫度和低生長溫度隨每一生長循環逐漸匯聚。

19.根據權利要求1所述的方法，其中所述III族氮化物主體由氮化鋁構成。

20.根據權利要求1所述的方法，其中所述方法開始于低生長溫度并且隨后發生變化。

21.根據權利要求1所述的方法，其中所述III族氮化物主體的合金組分在生長步驟期間是變化的。