[發明專利]氮化物半導體發光器件的制造方法

有效

• 申請號: 200680033223.1
• 申請日: 2006-09-14
• 公開（公告）號: CN101263611A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 大澤弘;程田高史
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 楊曉光;李崢

1.一種氮化物半導體發光器件的制造方法，包括以下步驟：

通過在襯底上依次層疊至少n型半導體層、發光層和p型半導體層，形成疊層；

形成溝槽，所述溝槽對應于將要制造的氮化物半導體發光器件分割所述疊層；

用犧牲層填充所述溝槽；以及

通過鍍敷在所述p型半導體層和所述犧牲層上形成鍍敷層。

2.根據權利要求1的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中所述制造方法還包括去除所述犧牲層的步驟。

3.根據權利要求1或2的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中在形成所述鍍敷層之前在所述p型半導體層上形成金屬層。

4.根據權利要求1或2的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中在形成所述疊層之前在所述襯底上形成緩沖層，并且在形成所述鍍敷層之后去除所述襯底和所述緩沖層以暴露所述n型半導體層。

5.根據權利要求3的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中在用所述犧牲層填充所述溝槽之前形成僅在所述p型半導體層上形成的所述金屬層。

6.根據權利要求4的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中通過激光去除所述襯底。

7.根據權利要求1或2的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中所述犧牲層由抗蝕劑材料構成。

8.根據權利要求3的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中所述金屬層包括歐姆接觸層。

9.根據權利要求3的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中所述金屬層包括反射層。

10.根據權利要求3的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中所述金屬層包括粘著層，所述粘著層接觸形成在所述粘著層上的層和形成在所述粘著層下的層。

11.根據權利要求8的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中所述歐姆接觸層由選自Pt、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Ag及其合金的至少一者構成。

12.根據權利要求9的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中所述反射層由Ag合金或Al合金構成。

13.根據權利要求10的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中所述粘著層由選自Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W及其合金的至少一者構成。

14.根據權利要求1或2的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中所述鍍敷層的厚度在10μm至200μm的范圍內。

15.根據權利要求1或2的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中所述鍍敷層由NiP合金、Cu或Cu合金構成。

16.根據權利要求1或2的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中在形成所述鍍敷層之后，在范圍為100℃至300℃的溫度下退火所獲得的產品。

17.根據權利要求3的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中所述在所述金屬層與所述鍍敷層之間形成鍍敷粘著層，以便接觸所述鍍敷層。

18.根據權利要求17的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中所述鍍敷粘著層包括50重量％或更大的與包含在所述鍍敷層中的合金的50重量％或更大的主要成分相同的成分。

19.根據權利要求17或18的氮化物半導體發光器件的制造方法，其中所述鍍敷粘著層由NiP合金或Cu合金構成。