[發明專利]高分辨率電阻率地層成像器

無效

• 申請號: 200680032746.4
• 申請日: 2006-07-06
• 公開（公告）號: CN101258424A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: G·B·伊特斯科維奇;A·N·貝斯帕羅弗
• 申請（專利權）人: 貝克休斯公司
• 主分類號: G01V3/00
• 分類號: G01V3/00;G01V3/02;G01V3/20
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 朱智勇

1.一種檢測井眼所穿過的地層的電阻率參數的設備，所述設備包括：

(a)至少一個具有電位的將測量電流傳入地層的測量電極；

(b)測量所述至少一個測量電極與井眼的壁之間的間隔的裝置；以及

(c)利用下列項估計電阻率參數的處理器：

(A)根據(I)所述測量電流和(II)所述電位中至少一個確定的阻抗參數，以及

(B)所述間隔。

2.權利要求1的設備，其中所述至少一個測量電極包括在可從送入井眼的測井儀的本體伸出的墊上的多個測量電極。

3.權利要求2的設備，所述設備還包括可從測井儀的本體伸出的具有多個測量電極的附加墊。

4.權利要求1的設備，其中所述井眼中含有基本上不導電的流體。

5.權利要求4的設備，其中所述電流具有在100kHz到50MHz之間的頻率。

6.權利要求1的設備，其中所述測量間隔的裝置是從包括(i)聲波式卡規和(ii)機械式卡規的組中選出的。

7.權利要求1的設備，其中所述電阻率參數包括井眼的壁的電阻率圖像。

8.權利要求1的設備，其中所述處理器通過將(i)所確定的阻抗的值和(ii)所確定的阻抗的實分量中至少一個減去來自查找表的值確定電阻率參數。

9.權利要求8的設備，其中所述查找表包括(i)間隔、(ii)流體電阻率、(iii)流體介電常數和(iv)在有高導電性地層的情況下的阻抗中至少一個。

10.權利要求8的設備，其中所述查找表通過(i)數值模擬和(ii)在測試槽內測量中至少一個確定。

11.權利要求1的設備，所述設備還包括測量井眼內的流體的電阻率的裝置。

12.一種估計井眼所穿過的地層的電阻率參數的方法，所述方法包括：

(a)用至少一個具有電位的測量電極將測量電流傳入地層；

(b)估計所述至少一個測量電極與井眼的壁之間的間隔；

(c)根據(I)所述測量電流和(II)所述電位中至少一個確定阻抗參數；以及

(d)根據所確定的阻抗和所估計的間隔估計電阻率參數。

13.權利要求12的方法，所述方法還包括將所述至少一個測量電極和多個附加測量電極配置在可從送入井眼的測井儀的本體伸出的墊上。

14.權利要求13的方法，所述方法還包括使用可從測井儀的本體伸出的具有多個測量電極的附加墊。

15.權利要求12的方法，所述方法還包括使用在井眼內基本上不導電的流體。

16.權利要求15的方法，其中所述電流具有在100kHz到50MHz之間的頻率。

17.權利要求12的方法，所述方法還包括用從包括(i)聲波式卡規和(ii)機械式卡規的組中選出的裝置測量偏離。

18.權利要求12的方法，其中所述電阻率參數包括井眼的壁的電阻率圖像。

19.權利要求12的方法，其中確定電阻率參數進一步包括將(i)所確定的阻抗的值和(ii)所確定的阻抗的實分量中至少一個減去來自查找表的值。

20.權利要求19的方法，所述方法還包括使用在查找表內的(i)偏離、(ii)流體電阻率、(iii)流體介電常數和(iv)高導電性地層內的阻抗中至少一個。

21.權利要求19的方法，所述方法還包括通過(i)數值模擬和(ii)在測試槽內測量中至少一個確定查找表。

22.權利要求12的方法，所述方法還包括測量井眼內的流體的電阻率。