[發明專利]等離子體處理設備、等離子體處理方法、其中使用的介質窗口以及該介質窗口的制造方法

無效

• 申請號: 200680032251.1
• 申請日: 2006-09-01
• 公開（公告）號: CN101258786A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 奧村智洋;伊藤裕之;佐佐木雄一朗;岡下勝己;水野文二;中山一郎;置田尚吾;永井久雄
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 肖鸝

1.一種等離子體處理設備，包括：真空容器；樣品電極，置于所述真空容器內部且將安裝有樣品；氣體供應設備，用于供應氣體到所述真空容器內部；多個氣體排出口，形成于與所述樣品電極相對的介質窗口內；排氣設備，用于對所述真空容器排氣；壓力控制裝置，用于控制所述真空容器內的壓力；以及電磁耦合裝置，用于在所述真空容器內部產生電磁場，

其中所述介質窗口是由多個介質板組成，槽形成于介質板的兩個面對的表面的至少一個內，氣體通道是由所述槽以及與所述槽相對的介質板的平坦表面形成，并且用于將來自所述氣體供應設備的氣體供應到所述槽的氣體供應部被設置；以及

形成于最靠近所述樣品電極的介質板內的氣體排出口與所述介質窗口內的所述槽連通。

2.如權利要求1所述的等離子體處理設備，其中所述槽形成不相互連通的多個通道系統。

3.如權利要求2所述的等離子體處理設備，其中每個通道系統是由使所述槽不相互連通的多個通道組成。

4.如權利要求2所述的等離子體處理設備，其中所述通道系統形成為使得從所述氣體供應部到所述氣體排出口的所述槽的氣體通道的傳導率可以被相互獨立地控制。

5.如權利要求4所述的等離子體處理設備，其中所述通道系統形成為使得從所述氣體供應部到所述氣體排出口的所述槽的氣體通道的傳導率可以被相互獨立地控制，且從所述通道系統排出的氣體在所述樣品的表面上具有近似均勻的分布。

6.如權利要求2所述的等離子體處理設備，其中所述氣體排出口與布置成同心圓的第一和第二通道系統連通，所述第一通道系統具有位于所述同心圓上所述氣體排出口的內部的氣體供應部，且所述第二通道系統具有位于所述同心圓上所述氣體排出口的外部的氣體供應部。

7.如權利要求1所述的等離子體處理設備，其中從氣體供應部到所述氣體排出口的所述槽的氣體通道的傳導率設為相同。

8.如權利要求1至7任意一項所述的等離子體處理設備，其中所述槽僅形成于所述第一和第二介質板之一內，所述第一和第二介質板中的另一介質板具有平坦表面，且所述通道是通過將所述第一和第二介質板結合在一起而形成。

9.如權利要求6所述的等離子體處理設備，其中所述第一通道系統具有從所述介質板的中心放射狀延伸的多個放射狀槽部以及呈圓弧形狀且與所述放射狀槽部連通的第一圓形槽部，且氣體排出口形成為與所述第一圓形槽部連通；以及

其中所述氣體供應部在所述介質板的中心與所述放射狀槽部連通。

10.如權利要求9所述的等離子體處理設備，其中所述第二通道系統具有呈圓弧形狀且形成于所述第一圓弧槽部的外部的第二圓弧槽部以及從所述第二圓弧槽部向外延伸的外槽，且所述氣體供應部與所述外槽連通。

11.如權利要求1所述的等離子體處理設備，其為一種等離子體摻雜設備，包括熱處理部，用以在待處理基板的表面上形成期望的等離子體分布，并將所述等離子體引入待處理基板的表面層。

12.如權利要求1所述的等離子體處理設備，其中氣體供應設備相互獨立地連接到相應槽。

13.如權利要求1所述的等離子體處理設備，其中所述氣體供應設備包括控制閥，用以改變氣體通道之間的傳導率比值，所述氣體通道允許所述氣體供應設備連通相應槽。

14.如權利要求1所述的等離子體處理設備，其中當每個槽劃分為其中將所述槽連接到所述氣體排出口的通孔近似等間距布置的部分a以及其中沒有布置用于將所述槽連接到所述氣體排出口的通孔的部分b時，所述槽和氣體供應設備的連接部通過作為部分b的多個路徑與部分a連通，所述多個路徑具有近似相同的長度。

15.如權利要求7所述的等離子體處理設備，其中部分a和b的連接部相對于部分a幾乎完全平衡地布置。

16.如權利要求1所述的等離子體處理設備，其中所述介質窗口由兩個介質板組成；以及當所述兩個介質板按照與所述樣品電極的距離的升序稱為介質板A和B時，第一槽形成于位于與所述樣品電極的對立側上的介質板A的表面內，且第二槽形成于與所述樣品電極相對的介質板B的表面內。