[發(fā)明專利]研磨介質(zhì)和與其相關的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680031858.8
• 申請日: 2006-07-28
• 公開（公告）號: CN101253129A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發(fā)明（設計）人: 羅伯特·J·多布斯
• 申請（專利權）人: 普里梅精密材料有限公司
• 主分類號: C04B35/56
• 分類號: C04B35/56;C09K3/14;B02C15/00;B24B1/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 蔡勝有;劉繼富

1.一種研磨介質(zhì)，包括：

由陶瓷材料形成的研磨介質(zhì)顆粒，所述陶瓷材料具有小于1250nm的層間距。

2.根據(jù)權利要求1所述的研磨介質(zhì)，其中所述層間距小于100nm。

3.根據(jù)權利要求1所述的研磨介質(zhì)，其中所述層間距小于10nm。

4.根據(jù)權利要求1所述的研磨介質(zhì)，其中所述研磨介質(zhì)顆粒具有小于約150微米的平均尺寸。

5.一種研磨介質(zhì)，包括：

包括芯材和在所述芯材上形成的涂層的研磨介質(zhì)顆粒，所述涂層包括多個層，所述層中的至少一層具有小于100nm的厚度。

6.根據(jù)權利要求5所述的研磨介質(zhì)，其中所述層中至少一層具有小于10nm的厚度。

7.根據(jù)權利要求5所述的研磨介質(zhì)，其中多個層具有小于10nm的厚度。

8.根據(jù)權利要求5所述的研磨介質(zhì)，其中所述涂層包括至少10層。

9.根據(jù)權利要求5所述的研磨介質(zhì)，其中第一層包含鋯，且在所述第一層上形成的第二層包含鋁。

10.根據(jù)權利要求5所述的研磨介質(zhì)，其中所述顆粒具有小于150微米的平均尺寸。

11.根據(jù)權利要求5所述的研磨介質(zhì)，其中所述芯材具有大于5g/cm³的密度。

12.一種研磨介質(zhì)，包括：

由包含分散在基體材料中的多個納米顆粒的納米晶體復合物形成的研磨介質(zhì)顆粒。

13.根據(jù)權利要求12所述的研磨介質(zhì)，其中所述納米顆粒具有小于10納米的平均顆粒尺寸。

14.根據(jù)權利要求12所述的研磨介質(zhì)，其中所述納米顆粒包含過渡金屬氮化物。

15.根據(jù)權利要求12所述的研磨介質(zhì)，其中所述基體材料包含氮化物。

16.根據(jù)權利要求12所述的研磨介質(zhì)，其中所述納米顆粒由陶瓷形成。

17.一種研磨介質(zhì)，包括：

由包含分散在基體材料中的多個顆粒的復合物形成的研磨介質(zhì)顆粒，其中所述分散顆粒由密度大于8g/cm³的材料形成。

18.一種研磨介質(zhì)，包括：

由包含多于一種金屬元素的陶瓷復合物形成的研磨介質(zhì)顆粒，所述顆粒具有小于約150微米的平均尺寸。

19.根據(jù)權利要求18所述的研磨介質(zhì)，其中所述陶瓷復合物具有小于1250nm的層間距。

20.根據(jù)權利要求18所述的研磨介質(zhì)，其中所述平均尺寸小于約100微米。

21.根據(jù)權利要求18所述的研磨介質(zhì)，其中所述平均尺寸在約75微米和約125微米之間，研磨介質(zhì)顆粒能夠在小于約25000kJ/kg的比能輸入下研磨二氧化鈦進料顆粒以生產(chǎn)二氧化鈦的已研磨顆粒組合物。

22.一種研磨介質(zhì)，包括：

能夠研磨無機進料顆粒以生產(chǎn)平均顆粒尺寸小于100nm和污染度小于500ppm的無機已研磨顆粒組合物的研磨介質(zhì)顆粒，所述進料顆粒的平均顆粒尺寸大于已研磨顆粒組合物的平均顆粒尺寸的10倍。

23.根據(jù)權利要求22所述的研磨介質(zhì)，其中所述已研磨顆粒組合物具有小于200ppm的污染度。

24.根據(jù)權利要求22所述的研磨介質(zhì)，其中所述已研磨顆粒組合物具有小于50nm的平均顆粒尺寸。

25.根據(jù)權利要求22所述的研磨介質(zhì)，其中所述研磨顆粒組合物具有小于20nm的平均顆粒尺寸。

26.根據(jù)權利要求22所述的研磨介質(zhì)，其中所述進料顆粒的平均顆粒尺寸大于所述已研磨組合物的顆粒尺寸的50倍。

27.根據(jù)權利要求22所述的研磨介質(zhì)，其中所述進料顆粒的平均顆粒尺寸大于所述已研磨組合物的顆粒尺寸的100倍。