[發(fā)明專利]利用沉積刻蝕序列的間隙填充處理

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680030938.1
• 申請日: 2006-06-15
• 公開（公告）號: CN101278380A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曼杰·維萊卡爾;赫曼特·P·芒格卡;揚(yáng)·S·李;奧野康利;湯淺浩
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司;松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 趙飛

1.一種在置于襯底處理室中的襯底上沉積膜的方法，所述襯底具有形成在相鄰的凸起表面之間的間隙，所述方法包括：

將第一前驅(qū)體沉積氣體流提供到所述襯底處理室；

由所述第一前驅(qū)體沉積氣體流形成第一高密度等離子體，以利用同時具有沉積和濺射分量的第一沉積處理在所述襯底上和所述間隙內(nèi)沉積所述膜的第一部分，直到所述間隙閉合之后為止；

將所述膜的所述第一部分回蝕足夠的部分，以使得所述間隙重新開口；

將第二前驅(qū)體沉積氣體流提供到所述襯底處理室；以及

由所述第二前驅(qū)體沉積氣體流形成第二高密度等離子體，以利用同時具有沉積和濺射分量的第二沉積處理在所述襯底上和所述重新開口的間隙內(nèi)沉積所述膜的第二部分。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，將所述膜的所述第一部分回蝕足夠的部分的操作包括在所述處理室中由對所述膜具有腐蝕性的刻蝕劑氣體形成第三高密度等離子體。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，將所述膜的所述第一部分回蝕足夠的部分的操作還包括對所述襯底施加電偏壓。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中：

所述第一和第二前驅(qū)體沉積氣體每個包含含硅氣體和含氧氣體，從而所述膜包括氧化硅膜；以及

所述刻蝕劑氣體包含含鹵素氣體。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述含鹵素氣體包含含氟氣體。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第一和第二前驅(qū)體沉積氣體中的至少一種還包含含摻雜劑氣體。

7.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第一和第二前驅(qū)體沉積氣體中的至少一種包含分子氫H₂。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，分子氫H₂以超過500sccm的流率提供到所述處理室。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述膜的所述第一部分以超出閉合所述間隙的臨界厚度大于所述臨界厚度的5％的厚度沉積在所述襯底上和所述間隙內(nèi)。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述膜的所述第一部分以超出閉合所述間隙的臨界厚度大于所述臨界厚度的10％的厚度沉積在所述襯底上和所述間隙內(nèi)。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述間隙包括多個形成在相鄰?fù)蛊鸨砻嬷g的間隙，第一部分的所述間隙的寬度為第二部分的所述間隙的寬度的至少5倍。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述間隙的深寬比為至少5∶1，寬度小于100nm。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述間隙的深寬比為至少6∶1，寬度小于65nm。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述膜的所述第二部分被沉積在所述襯底上和所述重新開口的間隙內(nèi)，直到所述間隙再次閉合之后為止，所述方法還包括：

將所述膜的所述第二部分回蝕足夠的部分，以再次使得所述間隙重新開口；

將第三前驅(qū)體沉積氣體流提供到所述襯底處理室；以及

由所述第三前驅(qū)體沉積氣體流形成第三高密度等離子體，以利用同時具有沉積和濺射分量的第三沉積處理在所述襯底上和所述重新開口的間隙內(nèi)沉積所述膜的第三部分。