[發(fā)明專利]封裝有錨定蓋的微機電裝置以及該裝置的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680030911.2
• 申請日: 2006-08-24
• 公開（公告）號: CN101248002A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發(fā)明（設計）人: 克萊芒·查爾布伊雷特;洛朗特·戈塞特
• 申請（專利權）人: ST微電子（克偌林斯2）SAS公司;皇家菲利浦電子有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 褚海英;陳桂香

1.一種集成電路(1)，所述集成電路(1)包括基底(2)和在所述基底(2)上方的有源元件(13)，其特征在于，所述集成電路(1)包括部分地圍繞所述有源元件(13)的空腔(14)，部分地圍繞所述空腔(14)的低介電區(qū)(15)和圍繞所述低介電區(qū)(15)布置的保護屏障(16)。

2.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其中所述低介電區(qū)(17)包含有機聚合物。

3.根據(jù)前述任一項權利要求所述的集成電路，其中所述保護屏障(16)是導電的。

4.根據(jù)前述任一項權利要求所述的集成電路，其中所述保護屏障(16)包含金屬。

5.根據(jù)權利要求1或2所述的集成電路，其中所述保護屏障(16)是介電的。

6.根據(jù)權利要求5所述的集成電路，其中所述保護屏障(16)至少包括容納有氣體的內空腔(28)。

7.根據(jù)前述任一項權利要求所述的集成電路，其中所述保護屏障(16)包括多個過孔。

8.根據(jù)前述任一項權利要求所述的集成電路，其中所述保護屏障(16)至少包括線。

9.根據(jù)前述任一項權利要求所述的集成電路，其中所述保護屏障(16)包括包含第一材料的內部和包含第二材料的外部(26)。

10.根據(jù)權利要求1～8中的任一項所述的集成電路，其中所述保護屏障(16)包含單一材料。

11.根據(jù)前述任一項權利要求所述的集成電路，其中所述保護屏障(16)包括上部分(19)和基礎部分(18)，所述上部分(19)大于所述基礎部分(18)。

12.根據(jù)前述任一項權利要求所述的集成電路，其中所述保護屏障(16)的至少一部分與所述基底(2)或互連層(4)的導電部分具有電接觸。

13.根據(jù)前述任一項權利要求所述的集成電路，其中所述保護屏障(16)是抗HF的。

14.根據(jù)前述任一項權利要求所述的集成電路，其中所述有源元件(13)位于所述基底(2)上。

15.根據(jù)權利要求1～19中的任一項所述的集成電路，所述集成電路至少包括受所述基底(2)支撐的互連層(4)，所述有源元件(13)受到所述互連層(4)的支撐。

16.根據(jù)前述任一項權利要求所述的集成電路，其中所述有源元件(13)包括微機械系統(tǒng)。

17.一種制造集成電路的方法，所述方法包括步驟：

-在基底上方形成有源元件，

-在所述基底上方形成低介電區(qū)，

-圍繞所述低介電區(qū)形成保護屏障，

-形成部分地圍繞所述有源元件的空腔，

所述低介電區(qū)部分地圍繞所述空腔。

18.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中圍繞所述有源元件形成可去除區(qū)，并且圍繞所述可去除區(qū)形成所述低介電區(qū)。

19.根據(jù)權利要求17或18所述的方法，其中形成所述保護屏障包括在所述低介電區(qū)中至少形成溝槽。

20.根據(jù)權利要求19所述的方法，其中形成所述保護屏障包括在所述溝槽中沉積薄介電層，并且用金屬填充其余所述溝槽。

21.根據(jù)權利要求20所述的方法，其中形成所述保護屏障包括用介電材料至少部分地填充所述溝槽。

22.根據(jù)權利要求17～21中任一項所述的方法，其中形成所述保護屏障包括形成大于基部的上部，所述上部處于所述低介電區(qū)上方，所述基部處于所述低介電區(qū)的層。

23.根據(jù)權利要求17～22中任一項所述的方法，其中所述保護屏障通過雙重鑲嵌工藝形成。

24.根據(jù)權利要求17～23中任一項所述的方法，其中所述保護屏障包含不受形成空腔的步驟影響的材料。