[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200680030790.1
• 申請日: 2006-08-23
• 公開（公告）號: CN101248526A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 西村隆雄;成澤良明
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 張龍哺;馮志云

1.一種半導體器件，其特征在于，具有：

芯片裝載構件，

第一半導體芯片，其配置在所述芯片裝載構件上，

鍵合線，其與所述第一半導體芯片的電極焊盤連接，

第一絕緣粘接劑，其選擇性地覆蓋所述電極焊盤和所述鍵合線之間的連接部，

第二絕緣粘接劑，其配置在所述第一絕緣粘接劑和所述第一半導體芯片上的未被所述第一絕緣粘接劑覆蓋的部分的上表面上，

第二半導體芯片，其隔著所述第二絕緣粘接劑而配置在所述第一半導體芯片上。

2.一種半導體器件，其特征在于，具有：

芯片裝載構件，

第一半導體芯片，其配置在所述芯片裝載構件上，

鍵合線，其與所述第一半導體芯片的電極焊盤連接，

第一絕緣粘接劑，其選擇性地覆蓋所述電極焊盤和所述鍵合線之間的連接部，

第二絕緣粘接劑，其配置在所述第一半導體芯片上的未被所述第一絕緣粘接劑覆蓋的部分的上表面上，并且局部配置為島狀或列狀；

第二半導體芯片，其隔著所述第二絕緣粘接劑而配置在所述第一半導體芯片上。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，

所述第二絕緣粘接劑含有由絕緣材料的粒子構成的填料，

所述填料的最大直徑設定為比所述鍵合線的直徑還大的值。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，

所述填料的最大直徑設定為比所述鍵合線的直徑還大的值，并進一步設定為比第一絕緣粘接劑層的厚度還厚的值。

5.一種半導體器件，其特征在于，具有：

芯片裝載構件，

第一半導體芯片，其配置在所述芯片裝載構件上，

鍵合線，其與所述第一半導體芯片的電極焊盤連接，

第一絕緣粘接劑，其選擇性地覆蓋所述電極焊盤和所述鍵合線之間的連接部，

第二半導體芯片，其隔著所述第一絕緣粘接劑而配置在所述第一半導體芯片上；

在所述芯片裝載構件上，對所述第一半導體芯片、所述第二半導體芯片、所述鍵合線及所述第一絕緣粘接劑實施了密封，并且，在所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片之間配置有樹脂。

6.根據權利要求1或2或5所述的半導體器件，其特征在于，

所述第一絕緣粘接劑分別獨立地覆蓋所述電極焊盤和所述鍵合線之間的多個連接部。

7.根據權利要求1或2或5所述的半導體器件，其特征在于，

所述鍵合線和所述電極焊盤隔著凸塊而連接。

8.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

在芯片裝載構件上配置第一半導體芯片的工序，

將鍵合線連接到所述第一半導體芯片的電極焊盤的工序，

利用第一絕緣粘接劑選擇性地覆蓋所述電極焊盤和所述鍵合線之間的連接部的工序，

在所述第一絕緣粘接劑和所述第一半導體芯片上的未被所述第一絕緣粘接劑覆蓋的部分的上表面上，配置第二絕緣粘接劑的工序；

在所述第一半導體芯片上，隔著所述第二絕緣粘接劑而配置第二半導體芯片的工序。

9.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

在芯片裝載構件上配置第一半導體芯片的工序，

將鍵合線連接到所述第一半導體芯片的電極焊盤的工序，

利用第一絕緣粘接劑選擇性地覆蓋所述電極焊盤和所述鍵合線之間的連接部的工序，

使所述第一絕緣粘接劑成為半固化狀態的工序，

在所述第一半導體芯片上，隔著第二絕緣粘接劑而配置第二半導體芯片的工序，

利用所述第二絕緣粘接劑粘合所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片的工序。