[發明專利]批式沉積工具及壓縮晶舟有效
| 申請號: | 200680030747.5 | 申請日: | 2006-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN101248215A | 公開(公告)日: | 2008-08-20 |
| 發明(設計)人: | J·約德伏斯基;R·C·庫克;N·梅里 | 申請(專利權)人: | 應用材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C23F1/00 | 分類號: | C23F1/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 陸嘉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 沉積 工具 壓縮 | ||
1.一種位于一批式處理室中的壓縮晶舟,其包含:
第一晶舟,配置用以接受與支撐多個基材于多個第一平行平面上;
第二晶舟,配置用以接受與支撐多個基材于多個第二平行平面上;以及
連接機構,配置用以可活動地連接該第一晶舟與該第二晶舟,以及在開啟狀態與關閉狀態之間移動該壓縮晶舟;
其中,在該關閉狀態中,所述第一平行平面與所述第二平行平面相互交錯穿插;以及于該開啟狀態中,該第一晶舟與第二晶舟獨立地裝載與卸載。
2.如權利要求1所述的壓縮晶舟,其中該連接機構包含一樞軸。
3.如權利要求2所述的壓縮晶舟,其中該樞軸包含一陶瓷軸承
4.如權利要求1所述的壓縮晶舟,其中該第一與第二晶舟各自包含:
頂盤;
底盤;以及
至少三支撐桿,每一支撐桿具有多個支撐手指;
其中,該頂盤與該底盤藉由該至少三支撐桿而連接,所述支撐手指定義出相應的多個平行平面,每個平行平面用以接收并支撐一基材于其上,且該至少三支撐桿是配置在支撐于其內的該基材直徑的一側中。
5.如權利要求4所述的壓縮晶舟,其中該第一與該第二晶舟的所述支撐手指配置成與該基材于接近周長處有至少三點接觸,且該至少三點形成介于190度至約200度間的弧形。
6.如權利要求4所述的壓縮晶舟,更包括多個基座,所述基座連接至該至少三支撐桿。
7.一種用于處理半導體基材的批式處理系統,其包括:
第一晶舟與第二晶舟,分別配置用以接收并支撐至少兩基材;
負載鎖定室;
處理室,定義出一處理容積;
緩沖室,選擇性地與該負載鎖定室及該處理室流體連通;以及
支撐機構,其至少部份地設置在該緩沖室中,且耦合至該第一與第二晶舟;
其中,該支撐機構是配置用以在該負載鎖定室、該處理室與該緩沖室之間傳送該第一與第二晶舟。
8.如權利要求7所述的批式處理系統,該支撐機構更包括:
舉升機構,配置用以將該第一與第二晶舟分別插入該負載鎖定室與該處理室,以及將該第一與第二晶舟移出該負載鎖定室與該處理室;以及
交換機構,配置用以于該緩沖室中交換該第一與該第二晶舟之間的位置。
9.如權利要求8所述的批式處理系統,其中該支撐機構是一旋轉盤,該旋轉盤具有一舉升件。
10.如權利要求7所述的批式處理系統,其中該第一與第二晶舟是壓縮晶舟,且各自包括:
第一晶舟,配置用以接收并支撐多個基材于多個第一平行平面上;
第二晶舟,配置用以接收并支撐多個基材于多個第二平行平面上;以及
連接機構,配置用以可活動地連接該第一晶舟與該第二晶舟,并且于開啟狀態與關閉狀態之間移動該壓縮晶舟;
其中,在該關閉狀態中所述第一平行平面與所述第二平行平面相互交錯穿插;以及于該開啟狀態中該第一與第二晶舟能獨立地裝載與卸載。
11.如權利要求10所述的批式處理系統,其中該連接機構包含一樞軸。
12.一種批式處理的方法,包括:
于負載鎖定室中裝載一組未處理的基材至第一晶舟內;
將具有該組未處理基材的該第一晶舟從該負載鎖定室傳送至緩沖室,同時將具有一組已處理基材的第二晶舟傳送出處理室;
傳送該第一晶舟至該處理室中且傳送該第二晶舟至該負載鎖定室中;以及
從該第二晶舟卸載該組已處理基材,同時于該處理室中處理該組未處理基材。
13.如權利要求12所述的方法,更包括重復所有步驟。
14.如權利要求12所述的方法,更包括于該緩沖室中交換該第一晶舟與該第二晶舟的位置。
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