[發明專利]一種新型晶片處理方法

有效

• 申請號: 200680030175.0
• 申請日: 2006-08-18
• 公開（公告）號: CN101243551A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: R·A·達維斯
• 申請（專利權）人: 霍尼韋爾國際公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 廖凌玲

1、一種方法，包括：

選擇一器件襯底并處理該器件襯底，直到利用接觸材料形成接觸的步驟；

在該接觸和其他區域上沉積一粘附金屬以制造一粘附層以及在該粘附層上沉積金以制造一金層；以及

圖案化該金層以從該接觸區域移除金以及圖案化該粘附層以便該粘附層保留在該接觸區域上；由此在器件襯底上制造至少一個具有能夠禁受大于375℃溫度的金接觸的半導體或微型機電系統器件。

2、權利要求1的方法，其中該接觸材料包括硅化鉑。

3、權利要求1的方法，其中該粘附層包括鎢化鈦。

4、一種方法，包括：

選擇一器件襯底并處理該器件襯底，直到利用接觸材料形成接觸的步驟；

在該接觸和其他區域上沉積一粘附金屬以制造一粘附層以及在該粘附層上沉積金以制造一金層；

圖案化該金層以從該接觸區域移除金以及圖案化該粘附層以便該粘附層保留在該接觸區域上；以及

將該器件襯底鍵合到裝卸襯底，由此在與裝卸襯底鍵合的器件襯底上制造至少一個半導體或微型機電系統器件。

5、權利要求4的方法，其中該接觸材料包括硅化鉑。

6、權利要求5的方法，其中該粘附層包括鎢化鈦。

7、一種系統，包括：

一種器件襯底，通過半導體工藝在其上生成至少一個器件和至少一個接觸，其中該至少一個接觸包括一種接觸材料；

一個粘附層沉積在該接觸和該接觸區域上，其中該接觸區域是圍繞該接觸的區域；以及

一個金層覆蓋該粘附層的大部分區域，但是不覆蓋該接觸區域中的該粘附層。

8、權利要求14的系統，其中該接觸包括硅化鉑。

9、權利要求14的系統，其中該粘附層包括鎢化鈦。

10、權利要求14的系統，進一步包括一裝卸襯底以及一個將該裝卸襯底粘合到該器件襯底的粘合劑。