[發(fā)明專利]非DRAM指示符和存取未存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680030123.3 | 申請日: | 2006-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN101243420A | 公開(公告)日: | 2008-08-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 羅伯特·邁克爾·沃克 | 申請(專利權)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F13/16 | 分類號: | G06F13/16 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 | 代理人: | 劉國偉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | dram 指示 存取 存儲 陣列 中的 數(shù)據(jù) 方法 | ||
1.一種控制一個或一個以上SDRAM模塊的方法,其包含:
對SDRAM模塊執(zhí)行一個或一個以上同步讀取循環(huán)來存取未存儲于所述SDRAM模塊的DRAM陣列中的數(shù)據(jù):
將針對未存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)的每一讀取循環(huán)與非DRAM指示符相關聯(lián);以及
在從SDRAM模塊接收到所述未存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)之后,響應于所述非DRAM指示符來識別所述未存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法,其進一步包含對SDRAM模塊執(zhí)行一個或一個以上讀取循環(huán)來存取存儲于所述SDRAM模塊的DRAM陣列中的數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法,其進一步包含將所述接收的未存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)與所述接收的存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)一起緩沖。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法,其中提取所述未存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)包含從含有存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)和未存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)兩者的緩沖器提取所述未存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法,其進一步包含將存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)轉發(fā)到請求主裝置且不將未存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)轉發(fā)到主裝置。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法,其進一步包含響應于所述未存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)來改變刷新所述SDRAM模塊中的一者或一者以上的速率。
7.根據(jù)權利要求3所述的方法,其進一步包含維持與每一讀取循環(huán)相關聯(lián)的控制信息。
8.根據(jù)權利要求7所述的方法,其中所述控制信息包括讀取突發(fā)長度。
9.根據(jù)權利要求7所述的方法,其中與針對存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)的讀取循環(huán)相關聯(lián)的所述控制信息包括請求主裝置識別。
10.根據(jù)權利要求7所述的方法,其中與針對未存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)的讀取循環(huán)相關聯(lián)的所述控制信息包括所述非DRAM指示符。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法,其中從SDRAM存儲器模塊讀取的數(shù)據(jù)和所述控制信息均各自在FIFO中緩沖。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法,其進一步包含同時彈出讀取數(shù)據(jù)FIFO和控制信息FIFO。
13.根據(jù)權利要求12所述的方法,其中響應于所述非DRAM指示符來識別所述未存儲于DRAM陣列中的數(shù)據(jù)包含在相應彈出的控制信息包括非DRAM指示符的情況下將彈出的讀取數(shù)據(jù)識別為未存儲于DRAM中的數(shù)據(jù)。
14.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中所述非DRAM指示符包含單個位。
15.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中所述非DRAM指示符包含多個位,且其中對所述非DRAM指示符位的編碼指示是從多個存儲器模塊的哪個存儲器模塊中讀取的所述未存儲于DRAM陣列中的相關聯(lián)數(shù)據(jù)。
16.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中對SDRAM模塊執(zhí)行一個或一個以上讀取循環(huán)以存取未存儲于所述SDRAM模塊的DRAM陣列中的數(shù)據(jù)包含周期性執(zhí)行針對所述SDRAM存儲器模塊上的溫度感測電路的讀取循環(huán)。
17.根據(jù)權利要求16所述的方法,其中執(zhí)行針對溫度感測電路的讀取循環(huán)的周期由可編程計數(shù)器確定。
18.根據(jù)權利要求16所述的方法,其中執(zhí)行針對所述SDRAM存儲器模塊上的溫度感測電路的讀取循環(huán)響應于軟件命令而發(fā)生。
19.根據(jù)權利要求16所述的方法,其進一步包含響應于所述存儲器模塊的溫度來調整刷新速率。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于高通股份有限公司,未經(jīng)高通股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680030123.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種基于計算機控制的機械臂清洗裝置
- 下一篇:電力變壓器油跡清理裝置





