[發(fā)明專利]用于形成光刻工藝的焦點(diǎn)曝光模型的系統(tǒng)和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680029512.4
• 申請(qǐng)日: 2006-08-02
• 公開（公告）號(hào): CN101258498A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉軍;曹宇;陳洛祁;劉華玉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 睿初科技公司
• 主分類號(hào): G06F17/50
• 分類號(hào): G06F17/50
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 王波波

1.一種用于形成光刻工藝的焦點(diǎn)曝光模型的方法，包括：

選擇光刻工藝模型，所述模型包括光學(xué)模型模塊，所述模型包括一組模型參數(shù)，所述模型參數(shù)包括焦點(diǎn)、曝光以及一組具有可變數(shù)值的擬合參數(shù)；

將光刻工藝的工藝窗口限定在焦點(diǎn)曝光空間中；

為所述模型選擇一組初始擬合參數(shù)值；

在工藝窗口內(nèi)選擇多個(gè)采樣位置，所述多個(gè)采樣位置包括名義上的條件，并成為在工藝窗口內(nèi)的所有可能的工藝條件的子集；

在保持所述初始擬合參數(shù)值恒定的同時(shí)，通過以變化的與工藝窗口內(nèi)的多個(gè)采樣位置相對(duì)應(yīng)的焦點(diǎn)和曝光數(shù)值模擬光刻工藝，采用具有所述初始擬合參數(shù)組的模型，在工藝窗口內(nèi)的多個(gè)采樣位置中的每個(gè)上生成光刻工藝的模擬結(jié)果；

將在工藝窗口內(nèi)的多個(gè)采樣位置中的每一個(gè)位置處的光刻工藝的模擬結(jié)果與實(shí)際結(jié)果進(jìn)行比較，以在所有的多個(gè)采樣位置上產(chǎn)生模擬結(jié)果和實(shí)際結(jié)果之間的總差別測(cè)量；

修改所述擬合參數(shù)數(shù)值組，并在所述工藝窗口內(nèi)的多個(gè)采樣位置中的每一個(gè)上生成附加的模擬結(jié)果，以識(shí)別優(yōu)化的擬合參數(shù)值，以使得采用優(yōu)化的擬合參數(shù)值所產(chǎn)生的在實(shí)際結(jié)果和模擬結(jié)果之間的總差別測(cè)量被最小化，或者在預(yù)定的閾值以下；以及

將焦點(diǎn)曝光模型限定為包括優(yōu)化的擬合參數(shù)值的模型，所述焦點(diǎn)曝光模型能夠模擬在整個(gè)工藝窗口內(nèi)的任何位置上的光刻工藝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述焦點(diǎn)曝光模型被用于模擬在工藝窗口內(nèi)的單個(gè)位置處的光刻工藝。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述焦點(diǎn)曝光模型被用于根據(jù)第一原理在不改變優(yōu)化擬合參數(shù)值的情況下，通過將與工藝窗口內(nèi)的不是多個(gè)采樣位置中的一個(gè)位置相對(duì)應(yīng)的焦點(diǎn)和曝光值應(yīng)用于焦點(diǎn)曝光模型，而模擬在工藝窗口內(nèi)的所述位置處的光刻工藝。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模型參數(shù)組還包括除去焦點(diǎn)和曝光之外的至少一個(gè)第一原理參數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述至少一個(gè)第一原理參數(shù)包括照射源、數(shù)值孔徑和光學(xué)像差中的至少一個(gè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述光刻工藝的模型還包括抗蝕劑模型模塊。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述光刻工藝的模型還包括掩模模型模塊。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個(gè)采樣位置包括僅僅以名義上的曝光和焦點(diǎn)值變化的條件下的采樣位置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個(gè)采樣位置包括僅僅名義上的條件、在名義上的曝光條件下的正離焦條件、以及在名義上的曝光條件下的負(fù)離焦條件。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

為測(cè)試掩模選擇一組測(cè)試圖案，其中所述測(cè)試圖案組覆蓋鄰近相互作用的全范圍，所述鄰近相互作用是光刻工藝的特征；

將所述測(cè)試圖案組印刷到晶片上，以形成一組測(cè)試結(jié)構(gòu)；以及

采用所述測(cè)試結(jié)構(gòu)組產(chǎn)生實(shí)際的結(jié)果。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模擬結(jié)果和實(shí)際結(jié)果是臨界尺寸測(cè)量。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述總差別測(cè)量是均方根差。

13.一種用于形成光刻工藝的焦點(diǎn)曝光模型的方法，包括：

在光刻工藝的預(yù)定工藝窗口內(nèi)選擇一組工藝條件，所述工藝條件組是在所述工藝窗口內(nèi)的所有可能的工藝條件的子集，其中每個(gè)工藝條件是曝光值和離焦值；

選擇光刻工藝模型，所述模型包括光學(xué)模型模塊，所述模型具有一組模型參數(shù)，所述模型參數(shù)包括焦點(diǎn)、曝光以及一組具有可變數(shù)值的擬合參數(shù)；

采用模型模擬在所述工藝條件組中的每一個(gè)工藝條件下的光刻工藝，以產(chǎn)生模擬結(jié)果，其中所述焦點(diǎn)和曝光參數(shù)的值被改變?yōu)榕c所述工藝條件組相對(duì)應(yīng)，且所述擬合參數(shù)值被保持恒定；以及

通過將在所有所述工藝條件組下的光刻工藝的模擬結(jié)果和實(shí)際結(jié)果進(jìn)行比較校準(zhǔn)所述模型，以產(chǎn)生能夠在預(yù)定的工藝窗口內(nèi)的所有可能的工藝條件下模擬光刻工藝的單一焦點(diǎn)曝光模型。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述焦點(diǎn)曝光模型被用于在預(yù)定的工藝窗口內(nèi)的不是所述工藝條件組中的一個(gè)工藝條件下模擬光刻工藝。