[發(fā)明專(zhuān)利]吲哚化合物、濾光器以及光學(xué)記錄材料

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680029239.5
• 申請(qǐng)日: 2006-07-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101238100A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳澤智史
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社艾迪科
• 主分類(lèi)號(hào): C07D209/14
• 分類(lèi)號(hào): C07D209/14;B41M5/26;C07F17/02;G02B5/22;G11B7/244;C07F15/06
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 陳建全

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及新型吲哚化合物、濾光器以及光學(xué)記錄材料。該吲哚化合物作為光學(xué)要素等是有用的。該吲哚化合物尤其是作為在圖像顯示裝置用的濾光器中含有的紫外線吸收劑是有用的，另外，還可用于在具有可見(jiàn)以及近紅外區(qū)域的波長(zhǎng)且利用低能量的激光等可進(jìn)行高密度的光學(xué)記錄和再生的光學(xué)記錄介質(zhì)中使用的光學(xué)記錄材料。

背景技術(shù)

光學(xué)記錄介質(zhì)通常具有記錄容量大、記錄或再生以非接觸方式進(jìn)行等優(yōu)點(diǎn)，因而廣泛普及。對(duì)于WORM、CD-R、DVD-R等可刻錄型光盤(pán)，是在光學(xué)記錄層的微小面積上使激光聚焦，改變光學(xué)記錄層的性狀來(lái)進(jìn)行記錄，利用記錄部分和未記錄部分的反射光量的不同進(jìn)行再生。

現(xiàn)在，在上述光盤(pán)中，記錄和再生所使用的半導(dǎo)體激光的波長(zhǎng)在CD-R中為750～830nm，在DVD-R中為620～690nm，為了進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)容量的增加，人們正在研究使用短波長(zhǎng)激光的光盤(pán)，例如用380～420nm的光作為記錄光的光盤(pán)。

對(duì)于短波長(zhǎng)激光用的光學(xué)記錄介質(zhì)，在光學(xué)記錄層的形成中，使用各種化合物。例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中報(bào)道的偶氮化合物，專(zhuān)利文獻(xiàn)2中報(bào)道的卟啉化合物，專(zhuān)利文獻(xiàn)3中報(bào)道的三唑化合物的金屬絡(luò)合物。但是，這些化合物作為光學(xué)記錄層的形成中使用的光學(xué)記錄材料，其吸收波長(zhǎng)特性未必符合要求。

另一方面，在液晶顯示裝置(LCD)、等離子顯示器(PDP)、電致發(fā)光顯示器(ELD)、陰極射線管顯示裝置(CRT)、熒光顯示管、場(chǎng)致發(fā)射型顯示器等圖像顯示裝置用的濾光器中，吸收300～390nm波長(zhǎng)的光的化合物被用作紫外線吸收劑。

例如，在下述專(zhuān)利文獻(xiàn)4中，報(bào)道了含有紫外線吸收劑、遮斷200～410nm的光的有機(jī)EL顯示元件用濾色器。但是，該有機(jī)EL顯示元件用濾色器中使用的紫外線吸收劑作為濾光器用的紫外線吸收劑時(shí)，其吸收波長(zhǎng)特性未必符合要求。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2004-209771號(hào)公報(bào)

專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2004-58365號(hào)公報(bào)

專(zhuān)利文獻(xiàn)3：日本特開(kāi)2004-174838號(hào)公報(bào)

專(zhuān)利文獻(xiàn)4：日本特開(kāi)2004-102223號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種化合物，其具有特別適于圖像顯示裝置用濾光器以及短波長(zhǎng)激光用光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)記錄材料中所使用的光學(xué)要素的光學(xué)特性。

本發(fā)明者經(jīng)過(guò)反復(fù)研討，結(jié)果發(fā)現(xiàn)具有亞氨基結(jié)構(gòu)的特定吲哚化合物具有滿(mǎn)足作為上述光學(xué)要素的吸收波長(zhǎng)特性，從而完成了本發(fā)明。

本發(fā)明是基于上述發(fā)現(xiàn)而完成的，其提供下述通式(I)表示的吲哚化合物、含有該吲哚化合物而形成的濾光器、以及光學(xué)記錄材料，其含有在基體上形成有光學(xué)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的該光學(xué)記錄層中所使用的該吲哚化合物而形成。

[化學(xué)式1]

(式中，R¹和R²分別獨(dú)立地表示氫原子、碳原子數(shù)為1～30的烴基或下述通式(II)表示的取代基，R³和R⁴分別獨(dú)立地表示碳原子數(shù)為1～10的烷基、碳原子數(shù)為1～10的烷氧基或碳原子數(shù)為6～30的芳基，R⁵、R⁶、R⁷和R⁸分別獨(dú)立地表示氫原子、碳原子數(shù)為1～30的烴基、鹵原子、羥基、硝基、氰基、NHR或NR’R”，R、R’和R”分別獨(dú)立地表示碳原子數(shù)為1～10的烷基，R’和R”可以相互連接形成環(huán)，R⁵和R⁶、R⁶和R⁷、R⁷和R⁸也可以分別相互連接形成環(huán)。An^q-表示q價(jià)的陰離子，q表示1或2，p表示使電荷保持中性的系數(shù)。)

[化學(xué)式2]

(式中，R^a～Rⁱ各自獨(dú)立地表示氫原子或碳原子數(shù)為1～6的烷基，該烷基中的亞甲基可以被-O-或-CO-取代，Z表示直接鍵合或可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～8的亞烷基，該亞烷基中的亞甲基也可以被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO₂-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N＝CH-或-CH＝CH-取代，M表示金屬原子。)

具體實(shí)施方式

下面，根據(jù)優(yōu)選的實(shí)施形態(tài)，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的吲哚化合物、含有該吲哚化合物而形成的濾光器以及光學(xué)記錄材料。