[發(fā)明專利]具有用于隔離和鈍化層的支撐結(jié)構(gòu)的半導體器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680029211.1 | 申請日： | 2006-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN101238574A | 公開（公告）日： | 2008-08-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 森克·哈貝尼希特;安斯加爾·索恩斯;海因里希·澤依勒 | 申請（專利權(quán)）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/522;H01L23/485;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 朱進桂 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 用于 隔離 鈍化 支撐 結(jié)構(gòu) 半導體器件 | ||
1.一種支撐結(jié)構(gòu)，用于支撐半導體器件中的隔離和鈍化層，該支撐結(jié)構(gòu)包括：
第一接地結(jié)構(gòu)，適合于將半導體器件的第一層經(jīng)由金屬層連接到半導體器件的下部第二層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的支撐結(jié)構(gòu)，
其中第一層是第一隔離和鈍化層；并且
其中第二層是第二隔離和鈍化層以及襯底之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的支撐結(jié)構(gòu)，
其中第一接地結(jié)構(gòu)包括具有第一硬度的材料；
其中金屬層包括具有第二硬度的材料；并且
其中第一硬度明顯大于第二硬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的支撐結(jié)構(gòu)，
其中第一接地結(jié)構(gòu)機械性能是硬的并且穩(wěn)定，并包括從由熱氧化物、二氧化硅、氮化硅和鈦構(gòu)成的組中選擇的一種材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的支撐結(jié)構(gòu)，
其中半導體器件包括金屬通路和鍵合焊盤中的至少一個；并且
其中第一接地結(jié)構(gòu)設(shè)置在金屬通路的邊緣部分中或鍵合焊盤的邊緣部分中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的支撐結(jié)構(gòu)，
還包括第二接地結(jié)構(gòu)，該第二接地結(jié)構(gòu)適合于將半導體器件的第一層經(jīng)由金屬層連接到半導體器件的下部第二層；
其中第一接地結(jié)構(gòu)和第二接地結(jié)構(gòu)沿著由器件頂部上的塑料成型產(chǎn)生的熱機械應(yīng)變的方向而設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的支撐結(jié)構(gòu)，
還包括第三接地結(jié)構(gòu)，該第三接地結(jié)構(gòu)適合于將第一層和第二層之一連接到半導體器件的下部第三層；
其中半導體器件的第三層是襯底的一部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的支撐結(jié)構(gòu)，
其中第一層是介電層。
9.一種半導體器件，具有用于支撐半導體器件中的隔離和鈍化層的支撐結(jié)構(gòu)，該支撐結(jié)構(gòu)包括：
第一接地結(jié)構(gòu)，適合于將半導體器件的第一層經(jīng)由金屬層連接到半導體器件的下部第二層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的半導體器件，
其中第一層是第一隔離和鈍化層；并且
其中第二層是第二隔離和鈍化層以及襯底之一。
11.一種支撐半導體器件中的隔離和鈍化層的方法，該方法包括以下步驟：
設(shè)置第一接地結(jié)構(gòu)，該第一接地結(jié)構(gòu)適合于將半導體器件的第一層經(jīng)由金屬層連接到半導體器件的下部第二層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，
其中第一層是第一隔離和鈍化層；并且
其中第二層是第二隔離和鈍化層以及襯底之一。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，
其中設(shè)置第一接地結(jié)構(gòu)包括以下步驟：
在襯底上本征地生長半導體器件的襯底材料的熱氧化物。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，
其中生長熱氧化物通過熱氧化襯底的表面產(chǎn)生氧化層來執(zhí)行；以及
對氧化層進行結(jié)構(gòu)化，產(chǎn)生多個單獨的接地結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，
其中對氧化層進行結(jié)構(gòu)化包括蝕刻步驟。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，
其中沿著金屬通路的邊緣部分或鍵合焊盤的邊緣部分設(shè)置所述單獨的接地結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，
其中沿著熱機械應(yīng)變的方向設(shè)置所述單獨的接地結(jié)構(gòu)。
18.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，
其中按照周期性的方式設(shè)置所述單獨的接地結(jié)構(gòu)。
19.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，
還包括提供第三接地結(jié)構(gòu)的步驟，該第三接地結(jié)構(gòu)適合于將第一層和第二層之一連接到半導體器件的下部第三層；
其中半導體器件的第三層是襯底的一部分。
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