[發明專利]用于把離子引入離子阱的方法以及離子存儲設備

無效

• 申請號: 200680028592.1
• 申請日: 2006-05-26
• 公開（公告）號: CN101238544A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發明（設計）人: 丁力;A·J·史密斯;N·E·尼古拉耶維奇
• 申請（專利權）人: 島津研究所（歐洲）有限公司
• 主分類號: H01J49/04
• 分類號: H01J49/04;H01J49/10;H01J49/42
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 劉杰;陳景峻

1、一種把離子引入到離子阱中的方法，其包括以下步驟：利用引入裝置通過到所述離子阱的入口孔徑把第一離子引入到所述離子阱中；以及選擇性地調節所述相同的引入裝置的操作條件，以通過所述相同的入口孔徑把極性不同于第一離子的第二離子引入到該離子阱中。

2、根據權利要求1的方法，其中，所述第一和第二離子適于發生離子-離子反應。

3、根據權利要求2的方法，其中，所述第一和第二離子的其中之一是反應物離子，其導致所述第一和第二離子當中的另一種的電荷減少。

4、根據權利要求3的方法，其中，所述電荷減少導致所述第一和第二離子當中的所述另一種的電子轉移解離。

5、根據權利要求1-4當中的任一項的方法，其中，所述第一離子和所述第二離子由相同的離子源生成。

6、根據權利要求1-4當中的任一項的方法，其中，所述第一離子和所述第二離子由不同的離子源生成。

7、根據權利要求5或權利要求6的方法，其中，所述第一和/或第二離子由APCI、CI、PI、ESI、MALDI當中的一項或多項生成。

8、根據權利要求3的方法，其中，所述反應物離子是通過氣流輔助的輝光放電管中的電子附著所生成的陰離子。

9、根據權利要求8的方法，其中，所述氣流輔助的輝光放電管包括熱燈絲，以便提供電子發射。

10、根據前述權利要求任一項所述的方法，其中，所述第一離子與所述第二離子具有不同的質荷比。

11、根據前述權利要求任一項所述的方法，其中，所述引入裝置包括靜電透射透鏡，并且所述調節所述引入裝置的所述操作條件的步驟包括顛倒沿著所述透鏡的透射軸的dc電勢梯度。

12、根據權利要求11所述的方法，其中，所述顛倒dc電勢梯度的步驟包括改變所述透射透鏡的偏置電壓。

13、根據權利要求11或10所述的方法，其中，所述引入裝置包括門透鏡，并且調節所述操作條件的所述步驟包括改變該門透鏡的偏置電壓。

14、根據權利要求11到13當中的任一項所述的方法，其中，所述引入裝置包括HF多極透鏡。

15、根據權利要求11到14當中的任一項所述的方法，包括以下步驟：在所述調節步驟之前禁用所述引入裝置的步驟，以便終止引入所述第一離子。

16、根據前述權利要求任一項所述的方法，其中，按照連續方式把所述第一離子和/或所述第二離子引入到所述離子阱中。

17、根據權利要求1到15當中的任一項的方法，其中，按照脈沖的方式把所述第一離子和/或所述第二離子引入到所述離子阱中。

18、一種離子存儲設備，其包括：離子阱，其具有入口孔徑；引入裝置，其用于把第一和第二離子引入到所述離子阱中，所述第一離子的極性不同于所述第二離子；調節裝置，其用于調節所述引入裝置的操作條件，借此通過到該離子阱的所述相同的入口孔徑選擇性地把所述第一和第二離子引入到該離子阱中。

19、根據權利要求18所述的離子存儲設備，其中，所述引入裝置包括靜電透射透鏡，并且所述調節裝置被設置成顛倒沿著所述透鏡的透射軸的dc電勢梯度。

20、根據權利要求19所述的離子存儲設備，其中，所述調節裝置被設置成通過改變所述透射透鏡的偏置電壓來顛倒所述dc電勢梯度。

21、根據權利要求19或權利要求20所述的離子存儲設備，其中，所述調節裝置被設置成令所述dc電勢梯度的大小保持不變。

22、根據如權利要求19到21當中的任一項所述的離子存儲設備，其中，所述引入裝置包括門透鏡，并且所述調節裝置被設置成改變所述門透鏡的偏置電壓。

23、根據權利要求19到22當中的任一項所述的離子存儲設備，其中，所述引入裝置包括HF多極透鏡。