[發明專利]除去化學氣相沉積(CVD)腔內的表面沉積物和鈍化內表面的方法

無效

• 申請號: 200680028522.6
• 申請日: 2006-08-02
• 公開（公告）號: CN101313085A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: H·H·薩溫;B·白;J·J·安
• 申請（專利權）人: 麻省理工學院
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 鄒雪梅;范赤

1.一種活化的氣體混合物，所述混合物包含：

約60％-約75％的氟原子，

約10％-約30％的氮原子，

任選最高達約15％的氧原子，以及

約0.3％-約15％的一種或多種選自由碳和硫組成的組中的原子。

2.權利要求1的活化的氣體混合物，其中，

氟原子的百分比為約66％-約74％，

氮原子的百分比為約11％-約24％，

氧原子的百分比為約0.9％-約11％，以及

一種或多種選自由碳和硫組成的組中的原子的百分比為約0.6％-約 11％。

3.權利要求1或權利要求2的活化的氣體混合物，其中，所述一種 或多種選自由碳和硫組成的組中的原子是碳。

4.權利要求1的活化的氣體混合物，進一步包含載氣。

5.權利要求4的活化的氣體混合物，其中所述載氣選自由氬和氦組 成的組。

6.權利要求5的活化的氣體混合物，其中所述載氣是氬。

7.一種用于腐蝕和除去CVD裝置內表面上的表面沉積物的方法， 所述方法包括：在遠程腔內活化氣體混合物，該氣體混合物含有氧源、 一種或多種選自由碳和硫組成的組中的原子源以及NF₃，其中，氧源∶ 一種或多種選自由碳和硫組成的組中的原子源的摩爾比率至少為約 0.75∶1，且其中NF₃在所述氣體混合物中的摩爾百分比為約50％-約98％； 使所述活化的氣體混合物流經管道而進入加工腔，從而減小氣相物種在 所述CVD裝置內表面上的表面復合速率。

8.權利要求7的方法，其中所述一種或多種選自由碳和硫組成的組 中的原子是碳。

9.權利要求7的方法，其中所述裝置為PECVD裝置。

10.權利要求7的方法，其中，裝置的內表面是用選自由鋁和陽極 氧化鋁組成的組中的材料制成的。

11.權利要求7的方法，其中，管道是經冷卻的。

12.權利要求7的方法，其中，節流閥被用于在清洗周期期間內增 加裝置內的壓力。

13.權利要求8的方法，其中所述氧源為分子氧。

14.權利要求8的方法，其中所述碳源為碳氟化合物。

15.權利要求14的方法，其中所述碳氟化合物是全氟碳化合物。

16.權利要求14的方法，其中所述碳氟化合物選自由四氟甲烷、六 氟乙烷、八氟丙烷、全氟四氫呋喃以及八氟環丁烷組成的組。

17.權利要求14的方法，其中所述碳氟化合物是六氟乙烷。

18.權利要求14的方法，其中所述碳氟化合物是八氟環丁烷。

19.權利要求7的方法，其中所述氣體混合物中NF₃的摩爾百分比 為約60％-約98％。

20.權利要求7的方法，其中所述氣體混合物中的NF₃為約70％- 約90％。

21.權利要求14的方法，其中所述氧源∶碳源的比率為約1∶1。

22.權利要求14的方法，其中所述氧源和碳源為二氧化碳，且氣體 混合物中二氧化碳的摩爾百分比為約2％-約15％。

23.權利要求7的方法，其中所述氣體混合物進一步含有載氣。

24.權利要求23的方法，其中，所述載氣選自由氬和氦組成的組。

25.權利要求7的方法，其中，加工腔內的壓力為約0.5托-約20 托。

26.權利要求7的方法，其中，加工腔內的壓力為約1托-約15托。