[發(fā)明專利]具有改進的機械可靠性和熱可靠性的半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680028208.8 | 申請日： | 2006-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN101233613A | 公開（公告）日： | 2008-07-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 阿野一章 | 申請（專利權(quán)）人： | 德州儀器公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L29/40;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 劉國偉 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 改進 機械 可靠性 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種集成電路裝置，其包含：
半導(dǎo)體芯片；
襯底，在其上組裝所述芯片，所述襯底具有用于外部連接的觸點；
每一觸點包括：
具有銅的接觸區(qū)域；
覆蓋所述接觸區(qū)域的合金層，所述合金層包括銅/錫合金和銅/鎳/錫合金，所述合金層以冶金學(xué)方式附接到所述銅區(qū)域且大致沒有非合金鎳區(qū)；以及
包含錫的回流元件，其以冶金學(xué)方式附接到所述合金層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述銅/錫合金包括Cu6Sn5金屬間化合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述銅/鎳/錫合金包括(Ni，Cu)6Sn5金屬間化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述合金層進一步包含金。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中主要合金包含(Cu，Ni，Au)6Sn5金屬間化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述金屬間化合物(Cu，Ni，Au)6Sn5的厚度處于約2.0與3.0μm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述合金層包含鈀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述回流元件進一步包含選自由鉛、銀、鉍、銦、鋅、銅、鎳和銻組成的群組中的一種或一種以上金屬。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述襯底觸點由焊料掩模中的窗口界定。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述回流元件跨越整個接觸區(qū)域附接到所述合金層區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中銅/鎳/錫合金鄰近于所述銅接觸區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其進一步包含從附近的所述銅接觸區(qū)域散裂的銅/鎳/錫合金。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述銅/錫合金鄰近于所述銅接觸區(qū)域附近的所述銅/鎳/錫合金。
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