[發(fā)明專利]具有切換玻璃層的存儲(chǔ)器裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680028186.5
• 申請(qǐng)日: 2006-05-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101233625A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 克里斯蒂·A·坎貝爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00;G11C16/02;G11C13/02
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 王允方

1.一種形成存儲(chǔ)器裝置的方法，其包括：

提供第一電極和第二電極；

在所述第一電極與第二電極之間提供金屬-硫?qū)倩飳樱?/p>

在所述第一電極與第二電極之間提供碲化鍺玻璃并使其與所述金屬-硫?qū)倩飳咏佑|。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬-硫?qū)倩飳游挥谒隽驅(qū)倩锊Ａ优c所述第二電極之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬-硫?qū)倩飳影ㄎy。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬-硫?qū)倩飳影ㄎa。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述金屬-硫?qū)倩飳优c所述第二電極之間提供金屬層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述金屬層包括銀。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述金屬-硫?qū)倩飳优c所述金屬層之間提供第一硫?qū)倩锊Ａ印?/p>

8.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述金屬層與所述第二電極之間提供第二硫?qū)倩锊Ａ印?/p>

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述碲化鍺層具有化學(xué)計(jì)量分子式Ge_xTe_100-x，其中x為約44到約53。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述碲化鍺層具有化學(xué)計(jì)量分子式Ge_xTe_100-x，其中x為約46到約51。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述碲化鍺層具有化學(xué)計(jì)量分子式Ge_xTe_100-x，其中x約為47。

12.一種形成存儲(chǔ)器單元的方法，其包括：

在襯底上形成第一電極；

在所述第一電極上形成存儲(chǔ)器主體，所述存儲(chǔ)器主體包括碲化鍺玻璃層和硒化錫層；

在所述存儲(chǔ)器主體上形成硫?qū)倩锊Ａ樱?/p>

在所述硫?qū)倩锊Ａ由闲纬珊y層；

在所述含銀層上形成粘合層；以及

在所述粘合層上形成第二電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述碲化鍺玻璃層具有化學(xué)計(jì)量分子式Ge_xTe_100-x，其中x為約44到約53。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述碲化鍺玻璃層具有化學(xué)計(jì)量分子式Ge_xTe_100-x，其中x為約46到約51。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述碲化鍺玻璃層具有化學(xué)計(jì)量分子式Ge_xTe_100-x，其中x約為47。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述碲化鍺玻璃層與所述第一電極接觸。

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中垂直布置所述存儲(chǔ)器單元的各個(gè)層。

18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述硫?qū)倩锊Ａ邮荊e₂Se₃。

19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述粘合層是Ge₂Se₃。

20.一種形成存儲(chǔ)器單元的方法，其包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成第一鎢電極；

在所述第一鎢電極上形成碲化鍺層，其中所述碲化鍺層具有化學(xué)計(jì)量分子式Ge_xTe_100-x，x在約44與約53之間；

在所述碲化鍺層上形成硒化錫層；

在所述硒化錫層上形成第一硒化鍺層；

在所述第一硒化鍺層上形成含銀層；

在所述含銀層上形成第二硒化鍺層；

在所述第二硒化鍺層上形成第二鎢電極；以及

在所述碲化鍺層中形成傳導(dǎo)溝道。