[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件和電氣設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680027400.5
• 申請日: 2006-07-21
• 公開（公告）號: CN101233616A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 北畠真;楠本修;內(nèi)田正雄;山下賢哉
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L27/06;H01L21/3205;H01L29/12;H01L21/822;H01L29/47;H01L21/8234;H01L29/78;H01L23/52;H01L29/872
• 代理公司: 北京紀凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包括：

場效應(yīng)晶體管，該場效應(yīng)晶體管具有：半導(dǎo)體層、在該半導(dǎo)體層上以包括該半導(dǎo)體層的上面的方式形成的第一導(dǎo)電型的第一源極/漏極區(qū)域、在所述半導(dǎo)體層上以包括所述上面和所述第一源極/漏極區(qū)域的方式形成的第二導(dǎo)電型區(qū)域、在所述半導(dǎo)體層上以包括所述上面和所述第二導(dǎo)電型區(qū)域的方式形成的第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)域、以至少與所述第一源極/漏極區(qū)域的所述上面連接的方式設(shè)置的第一源/漏電極、以隔著柵極絕緣膜至少與所述第二導(dǎo)電型區(qū)域的所述上面相對的方式設(shè)置的柵電極、和歐姆連接于所述漂移區(qū)域的第二源/漏電極；

在所述漂移區(qū)域的所述上面，以與該上面形成肖特基結(jié)的方式設(shè)置的肖特基電極；

覆蓋設(shè)置有所述第一源/漏電極、柵電極和肖特基電極的所述半導(dǎo)體層的上面的層間絕緣膜；和

在所述層間絕緣膜之上配設(shè)的、與所述第一源/漏電極、柵電極和肖特基電極中的至少一個電連接的多個接合墊，

所述多個接合墊中的至少一個以位于所述肖特基電極的上方的方式配設(shè)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于：

所述源電極以與所述源極區(qū)域和第二導(dǎo)電型區(qū)域的所述上面連接的方式設(shè)置。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于：

所述第一導(dǎo)電型是n型，所述第二導(dǎo)電型是p型。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于：

所述半導(dǎo)體層由寬禁帶半導(dǎo)體構(gòu)成。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于：

所述半導(dǎo)體層在俯視時通過假想的分界線分割成多個單元，

以在所述多個單元中延展的方式形成有漂移區(qū)域和漏電極，

所述多個單元由其中形成有所述場效應(yīng)晶體管的晶體管單元，和其中形成有所述肖特基電極的二極管單元構(gòu)成，

所述接合墊位于所述二極管單元的所述肖特基電極的上方。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于：

在俯視時，在多個所述晶體管單元之間島狀地配置有一個以上的所述二極管單元，所述接合墊位于該島狀地配置的一個以上的二極管單元的上方。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于：

所述多個接合墊通過導(dǎo)線相互連接。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于：

所述接合墊具有邊長為0.3mm以上的四邊形的形狀。

9.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于：

全部的所述晶體管單元的俯視時的面積相對所述半導(dǎo)體元件的俯視時的面積的比例為50％以上且99％以下。

10.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于：

所述肖特基電極的面積相對所述半導(dǎo)體元件的俯視時的面積的比例為1％以上且50％以下。

11.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于：

所述二極管單元的所述肖特基電極的面積比所述晶體管單元的所述第二導(dǎo)電型區(qū)域的俯視時的面積大。

12.一種電氣設(shè)備，其特征在于，包括：

交流驅(qū)動裝置；和構(gòu)成該交流驅(qū)動裝置的逆變電源電路的權(quán)利要求1～11中任一項所述的半導(dǎo)體元件，

所述半導(dǎo)體元件作為臂模塊被插入。

13.如權(quán)利要求12所述的電氣設(shè)備，其特征在于：

基于由所述交流驅(qū)動裝置內(nèi)的電感負載產(chǎn)生的反電動勢，而施加于所述場效應(yīng)晶體管的寄生二極管和所述肖特基二極管的電壓，比所述肖特基二極管的正方向的上升沿電壓大，并且比所述寄生二極管的正方向的上升沿電壓小。

14.如權(quán)利要求12所述的電氣設(shè)備，其特征在于：

所述交流驅(qū)動裝置是由所述逆變電源電路驅(qū)動的交流電動機。