[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680027199.0
• 申請日: 2006-06-28
• 公開（公告）號: CN101484985A
• 公開（公告）日: 2009-07-15
• 發(fā)明（設計）人: 楊宏寧;左江凱
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 秦 晨

1、一種包含半導體襯底的半導體器件的制造方法，該方法包括以下步驟：

對所述襯底內(nèi)的區(qū)域進行雜質(zhì)摻雜以形成第一摻雜阱；

在所述第一摻雜阱的一部分內(nèi)的區(qū)域進行雜質(zhì)摻雜以形成第二摻雜阱；

在襯底的表面上形成柵極且在它們之間形成柵介質(zhì)；

以與所述硅襯底的所述表面的垂直軸呈大于0度的角度，將雜質(zhì)離子選擇 性地注入到所述第二摻雜阱內(nèi)，所述雜質(zhì)離子形成暈注入?yún)^(qū)，該暈注入?yún)^(qū)與所 述柵極自對準并位于所述襯底的源極一側(cè)；

對所述第一摻雜阱內(nèi)的區(qū)域進行雜質(zhì)摻雜以形成輕摻雜漏極(LDD)注入， 該輕摻雜漏極注入與所述柵極自對準并位于所述襯底的漏極一側(cè)；

對所述暈注入?yún)^(qū)內(nèi)的區(qū)域進行雜質(zhì)摻雜；以及

對所述輕摻雜漏極注入(LDD)內(nèi)的區(qū)域進行雜質(zhì)摻雜。

2、如權利要求1所述的方法，其中對所述襯底內(nèi)的區(qū)域進行雜質(zhì)摻雜的步 驟包括注入包含從包含鍺(Ge)、砷(As)、磷(P)和硼(B)的組中選擇的材 料的離子的步驟。

3、如權利要求1所述的方法，其中將雜質(zhì)離子選擇性地注入到所述第二摻 雜阱內(nèi)的步驟包括注入包含從包括鍺(Ge)、砷(As)、磷(P)和硼(B)的組 中選擇的材料的離子的步驟。

4、如權利要求1所述的方法，其中對所述襯底內(nèi)的區(qū)域進行雜質(zhì)摻雜以形 成第一摻雜阱的步驟包括以1x10¹⁵/cm³的注入濃度注入硼的步驟。

5、如權利要求1所述的方法，其中對所述第一摻雜阱的一部分內(nèi)的區(qū)域進 行雜質(zhì)摻雜以形成第二摻雜阱的步驟包括以15K至500KeV的能量和 1x10¹⁷/cm³至2x10¹⁸/cm³范圍內(nèi)的注入濃度連續(xù)不斷地注入硼的步驟。

6、如權利要求1所述的方法，其中將雜質(zhì)離子選擇性地注入到所述第二摻 雜阱內(nèi)的步驟包括以30KeV能量和5x10¹⁸/cm³至6x10¹⁸/cm³的范圍內(nèi)的注入濃 度注入硼的步驟。

7、如權利要求1所述的方法，其中對所述第一摻雜阱內(nèi)的區(qū)域進行雜質(zhì)摻 雜以形成輕摻雜漏極(LDD)注入的步驟包括以30KeV能量和1x10¹⁸/cm³至 5x10¹⁸/cm³范圍內(nèi)的注入濃度注入硼的步驟。

8、如權利要求1所述的方法，其中對所述暈注入?yún)^(qū)中的區(qū)域進行雜質(zhì)摻雜 的步驟包括形成源區(qū)，并且在所述輕摻雜漏極(LDD)注入內(nèi)形成雜質(zhì)摻雜區(qū) 的步驟包括形成漏區(qū)。

9、一種包含半導體襯底的半導體器件的制造方法，該方法包括以下步驟：

在所述襯底的所述表面上沉積摻雜材料以形成摻雜外延層；

對所述摻雜外延層內(nèi)的雜質(zhì)摻雜區(qū)進行注入以形成摻雜阱；

在襯底的表面上形成柵極并在它們之間形成柵介質(zhì)；

以與所述硅襯底的所述表面的垂直軸呈大于0度的角度，將雜質(zhì)離子選擇 性地注入到所述摻雜阱內(nèi)，所述雜質(zhì)離子形成暈注入?yún)^(qū)，該暈注入?yún)^(qū)與所述柵 極自對準并位于所述襯底的源極一側(cè)；

對所述摻雜外延層內(nèi)的雜質(zhì)摻雜區(qū)進行注入以形成輕摻雜漏極(LDD)注 入，該輕摻雜漏極注入與所述柵極自對準并位于所述襯底的漏極一側(cè)；

在所述柵極周圍形成絕緣間隔片；

對所述暈注入?yún)^(qū)內(nèi)的源區(qū)進行注入；以及

對所述輕摻雜漏極注入(LDD)內(nèi)的漏區(qū)進行注入。

10、如權利要求9所述的方法，其中將雜質(zhì)離子選擇性地注入到所述摻雜 阱內(nèi)的步驟包括注入包含從包括鍺(Ge)、砷(As)、磷(P)和硼(B)的組中 選擇的材料的離子的步驟。