[發明專利]具有高移動性波形溝道的TFT電荷存儲存儲器單元和其制造方法

有效

• 申請號: 200680027101.1
• 申請日: 2006-06-01
• 公開（公告）號: CN101228619A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 羅伊·E·朔伊爾萊茵
• 申請（專利權）人: 桑迪士克3D公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L27/06;H01L21/8247;G11C16/04;H01L27/115;H01L29/792;H01L21/84;H01L29/10;H01L27/12;H01L29/06;H01L29/786
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉國偉

1.一種場效應晶體管，其包含：

溝道區，其具有一長度；

源極區，其在源極/溝道邊界處鄰接所述溝道區；以及

漏極區，其在漏極/溝道邊界處鄰接所述溝道區；

其中所述溝道區的所述長度大于所述源極/溝道邊界與所述漏極/溝道邊界之間的第一距離，其中所述溝道區形成在襯底上方。

2.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其中所述溝道區包含多晶半導體材料。

3.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其中所述溝道區包含硅、鍺或硅鍺合金層。

4.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其中所述溝道區不是大致平面的形狀。

5.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其中所述晶體管是存儲器單元的一部分，所述存儲器單元進一步包含電荷存儲堆疊。

6.根據權利要求5所述的場效應晶體管，其中所述電荷存儲堆疊包含電荷存儲電介質。

7.根據權利要求6所述的場效應晶體管，其中所述電荷存儲電介質包含氮化硅。

8.根據權利要求6所述的場效應晶體管，其中所述電荷存儲堆疊包含納米晶體。

9.根據權利要求6所述的場效應晶體管，其中所述存儲器單元適于存儲兩個位。

10.根據權利要求6所述的場效應晶體管，其中所述單元是通過溝道熱電子注射進行編程。

11.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其中所述晶體管形成在單晶襯底上方。

12.一種用于制成非易失性存儲器單元的方法，所述方法包含：

形成非平面介電結構；以及

在所述介電結構上方共形地沉積半導體層，

其中所述半導體層的一部分充當晶體管的溝道區，且其中所述溝道區是非平面形狀。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述半導體層是鍺或鍺合金。

14.根據權利要求12所述的方法，其進一步包含使所述半導體層結晶以形成多晶半導體層。

15.根據權利要求12所述的方法，其進一步包含在所述半導體層上形成電荷存儲堆疊。

16.根據權利要求15所述的方法，其中形成所述電荷存儲堆疊的步驟包含：

形成與所述溝道區接觸的溝道阻擋電介質；

在所述溝道阻擋電介質上方形成電荷存儲電介質；以及

在所述電荷存儲電介質上方形成柵極阻擋電介質。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述電荷存儲電介質適于存儲電荷，且所述溝道阻擋電介質和所述柵極阻擋電介質適于防止所存儲的電荷損失。

18.根據權利要求16所述的方法，其進一步包含在所述電荷存儲堆疊上方形成柵極電極。

19.根據權利要求12所述的方法，其中在單片三維存儲器陣列中形成所述非易失性存儲器單元。

20.根據權利要求12所述的方法，其中所述非平面介電結構具有一寬度，所述溝道區具有一長度，且其中所述溝道區的所述長度比所述非平面介電結構的所述寬度多至少25％。

21.一種用于制成非易失性存儲器單元的方法，所述方法包含：

形成非平面介電結構；以及

在所述介電結構上方共形地沉積半導體層，

其中所述半導體層的一部分充當晶體管的溝道區，所述半導體層的一部分充當所述晶體管的源極區，所述半導體層的一部分充當所述晶體管的漏極區，且其中所述溝道區不具有大致平面的形狀且所述溝渠區的一部分設置在所述源極區和所述漏極區上方。

22.根據權利要求21所述的方法，其中所述半導體層是鍺或硅鍺合金。

23.根據權利要求21所述的方法，其進一步包含使所述半導體層結晶以形成多晶半導體層。

24.根據權利要求21所述的方法，其進一步包含在所述半導體層上形成電荷存儲堆疊。