[發明專利]ZnTe單晶襯底的熱處理方法及ZnTe單晶襯底

有效

• 申請號: 200680026704.X
• 申請日: 2006-07-18
• 公開（公告）號: CN101228300A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 朝日聰明;佐藤賢次;清水孝幸
• 申請（專利權）人: 日礦金屬株式會社
• 主分類號: C30B29/48
• 分類號: C30B29/48;C30B33/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 孫秀武;李平英

1.一種ZnTe單晶襯底的熱處理方法，其具有以下工序：升溫至第1熱處理溫度T1、僅保持規定時間的第1工序；以規定的速度慢慢從所述第1熱處理溫度T1降溫至低于該熱處理溫度T1的第2熱處理溫度T2的第2工序，其特征在于，在將所述第1熱處理溫度T1設定為700℃≤T1≤1250℃范圍的同時，將所述第2熱處理溫度T2設定為T2≤T1-50的范圍。

2.權利要求1所述的ZnTe單晶襯底的熱處理方法，所述第1和第2工序在至少1kPa以上的Zn氣氛中進行。

3.權利要求1或2所述的ZnTe單晶襯底的熱處理方法，其特征在于，所述ZnTe單晶襯底的厚度為1mm以上。

4.權利要求1～3任一項所述的ZnTe單晶襯底的熱處理方法，其特征在于，將所述第1和第2工序作為1個循環，僅重復規定的循環數。

5.光調制元件用的ZnTe單晶襯底，其特征在于，厚度為1mm以上，結晶內所含的析出物的大小為2μm以下，密度小于200cm^-3。

6.權利要求5所述的光調制元件用的ZnTe單晶襯底，其特征在于，相對于波長700～1500nm的光線，透光率為50％以上。

7.權利要求6所述的光調制元件用的ZnTe單晶襯底，其特征在于，相對于波長900～1500nm的光線，透光率為60％以上。