[發(fā)明專利]熱塑性液晶聚合物薄膜覆蓋的線路板的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680026327.X | 申請(qǐng)日： | 2006-07-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101223835A | 公開(kāi)（公告）日： | 2008-07-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 小野寺稔;吉川淳夫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社可樂(lè)麗 |
| 主分類號(hào)： | H05K3/28 | 分類號(hào)： | H05K3/28;B32B7/02 |
| 代理公司： | 北京三幸商標(biāo)專利事務(wù)所 | 代理人： | 劉激揚(yáng) |
| 地址： | 日本國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 塑性 液晶 聚合物 薄膜 覆蓋 線路板 制造 方法 | ||
1.一種線路基板的制造方法，為在包含導(dǎo)電電路的一層露出的線路基板上層壓熱塑性液晶聚合物薄膜，進(jìn)行熱壓，從而制造線路基板的方法，其特征在于，對(duì)上述薄膜的熱塑性液晶聚合物，測(cè)定層壓溫度區(qū)域的低頻率下的粘彈性特性，選擇上述特性值在規(guī)定范圍內(nèi)的溫度，在上述溫度下進(jìn)行熱壓。
2.如權(quán)利要求1所述的線路基板的制造方法，其特征在于，上述粘彈性特性的測(cè)定是表觀熔融粘度的測(cè)定。
3.如權(quán)利要求2所述的線路基板的制造方法，其特征在于，低頻率為1Hz。
4.如權(quán)利要求1所述的線路基板的制造方法，其特征在于，層壓溫度區(qū)域在240℃～350℃的溫度范圍內(nèi)。
5.如權(quán)利要求2所述的線路基板的制造方法，其特征在于，選擇上述表觀熔融粘度的測(cè)定值在1×104Pa·s～2×105Pa·s的范圍內(nèi)的溫度進(jìn)行熱壓。
6.如權(quán)利要求2所述的線路基板的制造方法，其特征在于，上述表觀熔融粘度的測(cè)定在上述薄膜的所有批次中進(jìn)行。
7.如權(quán)利要求5所述的線路基板的制造方法，其特征在于，通過(guò)對(duì)上述熱塑性液晶聚合物薄膜進(jìn)行加熱處理，從而調(diào)整表觀熔融粘度。
8.如權(quán)利要求7所述的線路基板的制造方法，其特征在于，上述加熱處理在上述熱塑性液晶聚合物薄膜的液晶聚合物的熔點(diǎn)以上進(jìn)行，或在比熔點(diǎn)低20℃的溫度～熔點(diǎn)的溫度下進(jìn)行。
9.如權(quán)利要求5所述的線路基板的制造方法，其特征在于，構(gòu)成上述線路基板的聚合物是熱塑性液晶聚合物，選擇構(gòu)成上述熱塑性液晶聚合物薄膜的聚合物，使其具有比構(gòu)成線路基板的熱塑性液晶聚合物的表觀熔融粘度低的表觀熔融粘度。
10.如權(quán)利要求5所述的線路基板的制造方法，其特征在于，上述熱塑性液晶聚合物薄膜是至少2層以上的層壓薄膜，構(gòu)成與線路基板相接的層的薄膜的熱塑性液晶聚合物的表觀熔融粘度的測(cè)定值比構(gòu)成其它層的薄膜的熱塑性液晶聚合物的表觀熔融粘度低，顯示出上述范圍內(nèi)的表觀熔融粘度。
11.一種線路基板的制造方法，為在包含導(dǎo)電電路的一層露出的線路基板上層壓熱塑性液晶聚合物薄膜，進(jìn)行熱壓，從而制造線路基板的方法，其特征在于，對(duì)上述薄膜的熱塑性液晶聚合物，在層壓溫度區(qū)域的低頻率下的粘彈性特性值在規(guī)定范圍內(nèi)的溫度下進(jìn)行熱壓。
12.一種線路基板，為在包含導(dǎo)電電路的一層露出的線路基板上層壓熱塑性液晶聚合物薄膜，進(jìn)行熱壓而獲得的線路基板，其特征在于，通過(guò)對(duì)上述薄膜的熱塑性液晶聚合物，測(cè)定層壓溫度區(qū)域的低頻率下的粘彈性特性，選擇上述特性值在規(guī)定范圍內(nèi)的溫度，在上述溫度下進(jìn)行熱壓而獲得。
13.一種熱塑性液晶聚合物薄膜，其中，調(diào)整在權(quán)利要求12中記載的線路基板上層壓的熱塑性液晶聚合物薄膜，使粘彈性特性值在規(guī)定的范圍內(nèi)而獲得。
14.如權(quán)利要求13所述的熱塑性液晶聚合物薄膜，其特征在于，上述熱塑性液晶聚合物薄膜的長(zhǎng)度方向的分子取向度SOR在1.00～1.15的范圍內(nèi)。
15.如權(quán)利要求13或14所述的熱塑性液晶聚合物薄膜，其特征在于，上述熱塑性液晶聚合物薄膜的薄膜平面方向的線膨脹系數(shù)與包含導(dǎo)電電路的一層露出的線路基板的平面方向的線膨脹系數(shù)基本相同。
16.如權(quán)利要求13～15的任一項(xiàng)所述的熱塑性液晶聚合物薄膜，其特征在于，上述熱塑性液晶聚合物薄膜在260℃的溫度環(huán)境下的無(wú)緊張狀態(tài)下暴露30分鐘時(shí)的尺寸變化率在0.05％以下。
17.如權(quán)利要求13～16的任一項(xiàng)所述的熱塑性液晶聚合物薄膜，其特征在于，上述熱塑性液晶聚合物薄膜的長(zhǎng)度方向和垂直方向的拉伸彈性率均為3GPa以上。
18.如權(quán)利要求13～17的任一項(xiàng)所述的熱塑性液晶聚合物薄膜，其特征在于，在包含導(dǎo)電電路的一層露出的線路基板上層壓的熱塑性液晶聚合物薄膜的與上述線路基板層壓的1個(gè)主面上進(jìn)行了粗糙化處理。
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