[發(fā)明專利]聚硅氧烷及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680026131.0
• 申請日: 2006-07-19
• 公開（公告）號: CN101248106A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 小川琢哉;今井纮平;大島義人
• 申請（專利權(quán)）人: 陶氏康寧東麗株式會社;國立大學法人東京大學
• 主分類號: C08G77/06
• 分類號: C08G77/06
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所
• 代理人: 王健

1.聚硅氧烷的制造方法，其特征在于：在200℃以上的溫度、2.5MPa以上的壓力條件下使平均組成式(A)所示的含硅化合物和水的混合物進行水解-縮合反應(yīng)，

R¹_a(R²O)_bSiO_[(4-a-b)/2]????????????(A)

式中，R¹為相同或不同的取代或未取代的一價烴基，R²為碳原子數(shù)4以下的一價烴基，a、b為分別滿足0≤a≤3、0＜b≤4、并且0＜a+b≤4的數(shù)。

2.聚硅氧烷的制造方法，其特征在于：在200℃以上的溫度、0.5MPa以上的壓力條件下使平均組成式(B)所示的含硅化合物進行縮合反應(yīng)，

R¹_c(R²O)_d(HO)_eSiO_{[(4-c-d-e)/2]}?????(B)

式中，R¹為相同或不同的取代或未取代的一價烴基，R²為碳原子數(shù)4以下的一價烴基，c、d、e為分別滿足0≤c≤2、0＜d≤3、0＜e≤2、并且0＜c+d+e≤4的數(shù)。

3.聚硅氧烷的制造方法，其特征在于：在200℃以上的溫度、0.5MPa以上的壓力條件下使平均組成式(B)所示的含硅化合物和水的混合物進行水解-縮合反應(yīng)，

R¹_c(R²O)_d(HO)_eSiO_{[(4-c-d-e)/2]}????(B)

式中，R¹為相同或不同的取代或未取代的一價烴基，R²為碳原子數(shù)4以下的一價烴基，c、d、e為分別滿足0≤c≤2、0＜d≤3、0＜e≤2、并且0＜c+d+e≤4的數(shù)。

4.聚硅氧烷的制造方法，其特征在于：在200℃以上的溫度、0.5MPa以上的壓力條件下使平均組成式(A)所示的含硅化合物和平均組成式(C)所示的含硅化合物的混合物進行縮合反應(yīng)，

R¹_a(R²O)_bSiO_[(4-a-b)/2]???????????(A)

式中，R¹為相同或不同的取代或未取代的一價烴基，R²為碳原子數(shù)4以下的一價烴基，a、b為分別滿足0≤a≤3、0＜b≤4、并且0＜a+b≤4的數(shù)，

R¹_f(HO)_gSiO_[(4-f-g)/2]????????????(C)

式中，R¹與上述相同，f、g為分別滿足0≤f≤3、0＜g≤3、并且0＜f+g≤4的數(shù)。

5.聚硅氧烷的制造方法，其特征在于：在200℃以上的溫度、0.5MPa以上的壓力條件下使平均組成式(A)所示的含硅化合物和平均組成式(C)所示的含硅化合物和水的混合物進行水解-縮合反應(yīng)，

R¹_a(R²O)_bSiO_[(4-a-b)/2]???????????(A)

式中，R¹為相同或不同的取代或未取代的一價烴基，R²為碳原子數(shù)4以下的一價烴基，a、b為分別滿足0≤a≤3、0＜b≤4、并且0＜a+b≤4的數(shù)，

R¹_f(HO)_gSiO_[(4-f-g)/2]????????????(C)

式中，R¹與上述相同，f、g為分別滿足0≤f≤3、0＜g≤3、并且0＜f+g≤4的數(shù)。

6.權(quán)利要求1、3、5任一項所述的聚硅氧烷的制造方法，其特征在于：邊連續(xù)地分別將含硅化合物和水供給到反應(yīng)容器中邊使其反應(yīng)。