[發(fā)明專利]柔性觸摸屏顯示器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680025851.5 | 申請日: | 2006-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN101223494A | 公開(公告)日: | 2008-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 謝默斯·伯恩斯;西蒙·約翰斯;沙吉爾·西迪基 | 申請(專利權(quán))人: | 造型邏輯有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/045 | 分類號: | G06F3/045 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 楊娟奕 |
| 地址: | 英國*** | 國省代碼: | 英國;GB |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柔性 觸摸屏 顯示器 | ||
1.一種觸敏有源矩陣顯示器設(shè)備,該設(shè)備包括:
在第一柔性基底上制造的顯示器,所述顯示器具有視面;以及
位于所述顯示器下面的包括第二柔性基底的觸敏傳感器;以及其中
通過觸摸所述顯示器的所述視面運(yùn)行所述觸摸傳感器;以及
所述組合顯示器和觸敏傳感器是柔性的。
2.如權(quán)利要求1所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述第一和第二柔性基底包括共用柔性基底。
3.如權(quán)利要求2所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述共用柔性基底包括所述顯示器的背板。
4.如權(quán)利要求3所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中在所述背板上制造所述觸摸傳感器的導(dǎo)電層。
5.如權(quán)利要求2所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述共用柔性基底包括觸摸屏疊層,并且其中在所述疊層上制造所述顯示器的背板。
6.如權(quán)利要求1所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述觸敏傳感器和所述顯示器每個(gè)都具有分層結(jié)構(gòu),其中所述顯示器包括所述觸敏傳感器的至少一層,從而所述顯示器和所述傳感器具有至少一個(gè)共用的所述層。
7.如權(quán)利要求6所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述顯示器的所述第一柔性基底包括所述觸敏傳感器的所述第二柔性基底。
8.如權(quán)利要求6所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述第一柔性基底直接位于所述觸敏傳感器的導(dǎo)電層上。
9.如權(quán)利要求6所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述顯示器的所述第一柔性基底包括在所述觸敏傳感器的導(dǎo)電層上制造的背板。
10.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述觸敏傳感器包括具有基本上不透明導(dǎo)體的層。
11.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述顯示器包括具有薄膜晶體管陣列的背板,并且其中所述背板基本上位于所述設(shè)備的中性表面上。
12.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述顯示器包括像素化顯示器。
13.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述觸敏顯示器設(shè)備被像素化。
14.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述顯示器設(shè)備包括反射顯示器介質(zhì)。
15.如權(quán)利要求14所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述反射顯示器介質(zhì)包括電泳顯示器介質(zhì)。
16.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述觸敏傳感器包括機(jī)械傳感器,所述機(jī)械傳感器包括被絕緣隔離層隔開的第一和第二導(dǎo)電層,并且配置為使所述第一和第二導(dǎo)電層相互接觸,以響應(yīng)于機(jī)械壓力電連接導(dǎo)體的所述第一和第二導(dǎo)電層。
17.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述顯示器包括適合于溶液沉積的多層電子結(jié)構(gòu)。
18.如權(quán)利要求17所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述多層電子結(jié)構(gòu)包括所述顯示器的有源矩陣背板。
19.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的觸敏有源矩陣顯示器設(shè)備,其中所述有源矩陣包括具有有機(jī)半導(dǎo)體的場效應(yīng)晶體管陣列。
20.如權(quán)利要求19所述的觸敏有源矩陣顯示器設(shè)備,其中所述有機(jī)半導(dǎo)體為溶液處理的聚合物半導(dǎo)體。
21.如權(quán)利要求19或20所述的觸敏有源矩陣顯示器設(shè)備,其中所述場效應(yīng)晶體管包括有機(jī)柵極電介質(zhì)。
22.如權(quán)利要求21所述的觸敏有源矩陣顯示器設(shè)備,其中所述有機(jī)柵極電介質(zhì)為溶液處理聚合物電介質(zhì)。
23.如權(quán)利要求21所述的觸敏有源矩陣顯示器設(shè)備,其中通過化學(xué)汽相沉積來沉積所述有機(jī)柵極電介質(zhì)。
24.如權(quán)利要求23所述的觸敏有源矩陣顯示器設(shè)備,其中所述有機(jī)柵極電介質(zhì)為聚對二甲苯。
25.如權(quán)利要求21至24中任一項(xiàng)所述的觸敏有源矩陣顯示器設(shè)備,其中所述有機(jī)柵極電介質(zhì)的厚度處于200nm和1μm之間。
26.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的觸敏顯示器設(shè)備,其中所述觸敏傳感器為電阻式觸敏傳感器。
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