[發明專利]穿過晶片的互連

無效

• 申請號: 200680025783.2
• 申請日: 2006-05-18
• 公開（公告）號: CN101223633A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發明（設計）人: 黃勇力
• 申請（專利權）人: 科隆科技公司
• 主分類號: H01L21/44
• 分類號: H01L21/44;H01L29/43
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳煒

1.一種用于制造微電子結構中的穿過晶片的互連的方法，所述方法包括以下步驟：

提供具有正面和背面的導電晶片；

通過去除所述導電晶片的材料來在所述導電晶片中形成圖案化溝槽，其中所述圖案化溝槽具有環形圓周開口，所述開口將所述導電晶片沿所述開口大致分成內部和外部，由此所述導電晶片的內部與所述外部絕緣并用作穿過晶片的導體；以及

向所述圖案化溝槽添加填充材料。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充材料被添加到所述圖案化溝槽以用作所述內部和所述外部之間的機械支承。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充材料是用于將所述內部與所述外部電絕緣的介電材料。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述圖案化溝槽包括具有第一橫截面尺寸的第一溝槽部分和具有與所述第一橫截面尺寸不同的第二橫截面尺寸的第二溝槽部分。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述穿過晶片的導體具有由所述圖案化溝槽的第一部分圍繞并限定的第一部分和由所述圖案化溝槽的第二部分圍繞并限定的第二部分，所述穿過晶片的導體的第二部分的橫截面尺寸小于所述穿過晶片的導體的第一部分的橫截面尺寸。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述導電晶片具有頂層和底層，所述頂層和底層是接合在一起的兩個單獨的層。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述導電晶片的所述兩單獨的層在沒有插入的材料層的情況下直接接合在一起。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述導電晶片是摻雜硅晶片。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述導電晶片是具有頂部部分和底部部分的摻雜硅晶片，所述兩部分具有不同的摻雜水平。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述圖案化溝槽的步驟包括以下步驟：

從所述正面和所述背面之一形成所述圖案化溝槽的第一部分；以及

從另一面形成所述圖案化溝槽的第二部分。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述形成所述圖案化溝槽的步驟還包括氧化所述圖案化溝槽的第一部分以在所述第一部分的底部上形成停止層以限定一停止位置，并且其中所述形成所述圖案化溝槽的第二部分的步驟在所述圖案化溝槽的第二部分到達所述停止位置時停止。

12.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述形成所述圖案化溝槽的步驟還包括在所述圖案化溝槽的第一和第二部分中的至少一個中添加介電材料。

13.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在溝槽開口內使所述圖案化溝槽的至少一部分進一步精細圖案化，所述溝槽開口具有與未去除的導電晶片材料的線隔行的開口通道。

14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，還包括在所述未去除的導電晶片材料的線之間添加填充材料。

15.如權利要求13所述的方法，其特征在于，還包括氧化所述未去除的導電晶片材料的線。

16.如權利要求15所述的方法，其特征在于，還包括在所述氧化的未去除的導電晶片材料的線之間添加填充材料。

17.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述圖案化溝槽的步驟包括形成類似特性的多個圖案化溝槽。

18.如權利要求17所述的方法，其特征在于，將所述多個圖案化溝槽并排排列成一陣列，并且相鄰的圖案化溝槽共享共用溝槽側。

19.如權利要求17所述的方法，其特征在于，將所述多個圖案化溝槽并排排列成一陣列，并且相鄰的圖案化溝槽由介于其間的間隔分離。

20.如權利要求19所述的方法，其特征在于，所述介于其間的間隔由導電材料占據用于對相鄰的導體去耦。

21.如權利要求20所述的方法，其特征在于，所述介于其間的間隔中的導電材料包括所述導電晶片的未去除的導電材料。