[發(fā)明專利]氧化物的選擇性濕蝕刻

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680025510.8
• 申請日: 2006-04-25
• 公開（公告）號: CN101223632A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 威廉·沃伊特恰克;西安·科林斯
• 申請（專利權(quán)）人: 塞克姆公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 北京邦信陽專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 王昭林;南霆

1.一種選擇性濕蝕刻組合物，包含：

磺酸、膦酸、次膦酸或者其任意兩種或多種的混合物；

和氟化物。

2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中磺酸包括取代或未被取代的烷基或芳基磺酸。

3.如權(quán)利要求2所述的蝕刻組合物，其中磺酸包括甲磺酸、乙磺酸、乙二磺酸、丙磺酸、丁烷磺酸、戊烷磺酸、己烷磺酸、庚烷磺酸、十二烷磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸、2-羥基乙烷-磺酸、烷基酚磺酸、氯磺酸、氟磺酸、溴磺酸、1-萘酚-4-磺酸、2-溴乙烷磺酸、2，4，6-三氯苯磺酸、甲苯磺酸、三氟代甲烷磺酸、十六烷基磺酸、十二烷基磺酸、2-，3-或4-硝基苯磺酸、二硝基苯磺酸、三硝基苯磺酸、苯-1，4-二磺酸、甲基-4-硝基苯磺酸、甲基二氯苯磺酸，其同分異構(gòu)體，相應(yīng)的聚磺酸或其任意兩種或多種的混合物。

4.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中膦酸包括C₁-C₁₀支鏈或非支鏈的烷基或C₆-C₂₄芳基或C₁-C₁₀支鏈或非支鏈的烷基取代的C₇-C₃₆芳基膦酸。

5.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中次膦酸包括C₁-C₁₀支鏈或非支鏈的烷基或C₆-C₂₄芳基或C₁-C₁₀支鏈或非支鏈烷基取代的C₇-C₃₆芳基次膦酸。

6.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中氟化物的來源包括HF、NH₄F、BF₄、PF₆、SiF₆^2-、HF：吡啶鎓、季銨或鏻氟化物或二氟化物、烷基或芳基季銨或鏻氟化物和其任意兩種或多種的混合物。

7.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，進(jìn)一步包含水性的和/或有機(jī)的溶劑。

8.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中所述組合物包含從約0.1wt.％到約40wt.％氟化物，從約0.1到約95wt.％磺酸，和從約5wt.％到約30wt.％水。

9.如權(quán)利要求8所述的蝕刻組合物，其中所述組合物進(jìn)一步包含從約0.1到約60wt.％不同于水的溶劑。

10.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中所述組合物有小于約2的pH值。

11.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中所述組合物是基本不含添加的羥胺、硝酸鹽、過硫酸鹽或其兩種或多種的任意組合物。

12.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中相對于硅氮化物、高氮含量硅氧氮化物、鈦氮化物和硅，蝕刻組合物選擇性蝕刻高氧成分硅氧氮化物、二氧化硅和硅酸鹽玻璃。

13.如權(quán)利要求12所述的蝕刻組合物，其中所述硅包括非晶硅、多晶硅和單晶硅中的一種或者多種。

14.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中相對于一種或多種硅氮化物、高氮成分硅氧氮化物、鈦氮化物、金屬、多晶硅、單晶硅和金屬硅化物，所述組合物對于蝕刻HPCVD氧化物、APCVD氧化物、熱氧化物、BPTEOS氧化物、TEOS氧化物、PSG、BPSG、BSG、高氧成分硅氧氮化物、SiOC和其任意兩種或多種的組合物有范圍從約15,000∶1到約200∶1的選擇性。

15.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中在23℃相對于CVD二氯甲硅烷硅氮化物，所述組合物對于蝕刻PSG有范圍從約200∶1到約800∶1的選擇性。

16.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中所述的蝕刻組合物特征在于6％磷摻雜氧化物(PSG)的蝕刻速率范圍從約2000埃/分鐘到約15,000埃/分鐘。

17.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中所述組合物在環(huán)境溫度下，以范圍從約1500到約15,000/min的速率蝕刻PSG，以范圍從約1到約20/min的速率蝕刻硅氮化物，以范圍從約0到約3/min的速率蝕刻鈦氮化物，以范圍從約1到約20/min的速率蝕刻多晶硅。