[發(fā)明專利]具有改善的光提取的激光剝離發(fā)光二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680025472.6 | 申請日： | 2006-07-11 |
| 公開（公告）號： | CN101438422A | 公開（公告）日： | 2009-05-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 高翔;哈里·S·韋努高普蘭;伊萬·埃利亞舍維奇;邁克爾·薩克賴森 | 申請（專利權）人： | 吉爾科有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 | 代理人： | 章社杲;吳貴明 |
| 地址： | 美國俄*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 改善 提取 激光 剝離 發(fā)光二極管 | ||
1.一種發(fā)光器件，包括：
半導體疊層，限定發(fā)光pn結；以及
介電層，設置在所述半導體疊層之上，所述介電層具有的折射率等于或大于所述半導體疊層的折射率，所述介電層具有遠離所述半導體疊層的主表面，該遠端主表面包含有被構造成促進所述半導體疊層中所產(chǎn)生光的提取的圖案、粗糙度或紋理；
其中，所述介電層包括露出下面的半導體疊層的開口，所述開口限定所述遠端主表面的所述圖案、粗糙度或紋理。
2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，進一步包括：
宿主基板或承載基板，其上設置有所述半導體疊層，所述宿主基板或承載基板與其上形成所述半導體疊層的沉積基板不同。
3.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述宿主基板或承載基板包括連接凸起，所述連接凸起與所述半導體疊層電連接，以能夠電激勵所述發(fā)光pn結。
4.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述宿主基板或承載基板為硅基板或硅承載基板。
5.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述半導體疊層具有相對的第一和第二主表面，所述第二主表面被固定于所述宿主基板；而所述第一主表面已經(jīng)在所述半導體疊層形成于所述沉積基板上期間被固定于所述沉積基板。
6.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光pn結包括多量子阱區(qū)。
7.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述半導體疊層包括選自由以下層組成的組中的半導體層：氮化鎵(GaN)層、氮化鋁(AlN)層、氮化銦(InN)層、包含GaN、AlN或InN的三元合金的層、以及包含GaN、AlN或InN的四元合金的層。
8.根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光pn結包括多量子阱區(qū)，所述多量子阱區(qū)包括含有InN或其合金的多個層。
9.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述介電層不完全覆蓋所述半導體疊層，所述遠端主表面的所述圖案、粗糙度或紋理通過所述半導體疊層的不完全覆蓋來限定。
10.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述遠端主表面的所述圖案、粗糙度或紋理包括至少一個橫向周期。
11.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述遠端主表面的所述圖案、粗糙度或紋理是隨機的和非周期性的。
12.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述圖案、粗糙度或紋理限定顯微透鏡。
13.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述圖案、粗糙度或紋理使所提取的光朝向選定的視角偏斜。
14.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，進一步包括：
抗反射涂層，設置在所述介電層的所述遠端主表面上。
15.一種發(fā)光器件，包括：
半導體疊層，限定發(fā)光pn結；以及
介電層，設置在所述半導體疊層之上，所述介電層具有的折射率等于或大于所述半導體疊層的折射率，所述介電層具有遠離所述半導體疊層的主表面，該遠端主表面包含有被構造成促進所述半導體疊層中所產(chǎn)生光的提取的圖案、粗糙度或紋理；
其中，所述介電層具有接觸所述半導體疊層的近端主表面，接觸所述半導體疊層的所述近端主表面不包含所述遠端主表面的所述圖案、粗糙度或紋理。
16.根據(jù)權利要求15所述的發(fā)光器件，其中，所述遠端主表面的所述圖案、粗糙度或紋理包括至少一個橫向周期。
17.根據(jù)權利要求15所述的發(fā)光器件，其中，所述遠端主表面的所述圖案、粗糙度或紋理是隨機的和非周期性的。
18.根據(jù)權利要求15所述的發(fā)光器件，其中，所述圖案、粗糙度或紋理限定顯微透鏡。
19.根據(jù)權利要求15所述的發(fā)光器件，其中，所述圖案、粗糙度或紋理使所提取的光朝向選定的視角偏斜。
20.根據(jù)權利要求15所述的發(fā)光器件，進一步包括：
抗反射涂層，設置在所述介電層的所述遠端主表面上。
21.根據(jù)權利要求15所述的發(fā)光器件，進一步包括：
宿主基板或承載基板，其上設置有所述半導體疊層，所述宿主基板或承載基板與其上形成所述半導體疊層的沉積基板不同。
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