[發明專利]基材處理腔室的構件的局部表面退火有效
| 申請號: | 200680025268.4 | 申請日: | 2006-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN101218191A | 公開(公告)日: | 2008-07-09 |
| 發明(設計)人: | A·巴特納嗄;L·穆拉蓋西;P·古帕拉克芮西曼 | 申請(專利權)人: | 應用材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C04B41/00 | 分類號: | C04B41/00;H01L21/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 陸嘉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基材 處理 構件 局部 表面 退火 | ||
1.一種具有一結構性本體的基材處理腔室構件,其至少包含具有經退火的微裂縫的局部表面區域,藉此該些經退火的微裂縫可以減少裂縫成長且增加碎裂阻抗性。
2.如權利要求1所述的構件,更包含經激光退火的微裂縫的局部表面區域。
3.如權利要求1所述的構件,更包含經CO2激光退火的微裂縫的局部表面區域。
4.如權利要求1所述的構件,其中該結構性本體具有圍繞一內部軸的旋轉對稱性。
5.如權利要求1所述的構件,其中該結構性本體由一陶瓷、玻璃、或玻璃-陶瓷材料所制成。
6.如權利要求1所述的構件,其中該結構性本體包含石英。
7.如權利要求1所述的構件,其中該局部表面區域為該結構性本體的表面或邊緣。
8.如權利要求1所述的構件,其中該結構性本體包含以下的至少一個:(i)比未處理本體高至少約10%的平均維克氏硬度(mean?Vickershardness);或(ii)比未處理本體高至少約25%的平均碎裂應力。
9.如權利要求1所述的構件,其中該結構性本體包含一環、平板、或圓柱體。
10.一種制造基材處理腔室構件的方法,該方法至少包含:
(a)形成具有一結構性本體的構件;以及
(b)導引一激光束至該構件的局部表面區域上而持續一足夠時間,以退火在該些局部表面區域上的微裂縫,
藉此經退火的微裂縫可以減少裂縫成長與增加碎裂阻抗性。
11.如權利要求10所述的方法,更包含以下的至少一個:
(i)掃描該激光束橫越該些局部表面區域;或
(ii)以CO2激光產生該激光束。
12.如權利要求10所述的方法,更包含導引具有以下性質的至少一個的激光束:
(i)介于約190納米至約10600納米之間的波長;或
(ii)介于約5瓦特至約10000瓦特之間的功率位準。
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