[發明專利]減少鑄模溢料和輔助熱嵌條組裝的磁助加工

無效

• 申請號: 200680025125.3
• 申請日: 2006-05-10
• 公開（公告）號: CN101553901A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: S·A·庫梅爾;B·P·蘭格
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙蓉民

1.一種加工半導體封裝件的方法，該方法包括：

在模腔中安置熱擴散器；

在所述熱擴散器之上安置引線框架；

向所述模腔施加磁場，其中一個或更多個所述熱擴散器和引線框架大體被所述磁場吸引到所述模腔的內表面，因此大體迫使所述熱擴散器在其接觸區緊貼所述模腔的所述內表面；

向所述模腔中注入封裝化合物，其中至少部分地由于所施加的磁場，所述封裝化合物大體被阻擋進入所述接觸區；以及

凝固所述封裝化合物。

2.根據權利要求1所述的方法，其中一個或更多個所述引線框架和熱擴散器包含順磁材料。

3.根據權利要求2所述的方法，其中一個或更多個所述引線框架和熱擴散器被順磁涂層覆蓋。

4.根據權利要求2或3所述的方法，其中所述順磁材料包含鎳-鈀-金化合物。

5.一種由工藝形成的半導體器件，所述工藝包括：

提供其中具有腔室的鑄模；

在所述鑄模的所述腔室中安置熱擴散器；

在所述熱擴散器之上安置引線框架；

向所述鑄模施加磁場，其中所述引線框架大體易受磁場的影響，以及其中所述引線框架大體壓迫位于所述引線框架和所述鑄模的表面之間的所述熱擴散器；

向所述腔室中注入封裝化合物，其中至少部分地，由于所述磁場，所述封裝化合物大體被阻止接觸所述熱擴散器、引線框架及所述鑄模之間定義的多個接觸面；以及

凝固所述封裝化合物。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中至少部分地，由于其上的鍍金屬，所述引線框架易于受到所述磁場的影響。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述鍍金屬包含鎳、鈀和金中的一種或多種。

8.一種用于形成半導體封裝的模制裝置，該模制裝置包括：

具有其中定義了模腔的鑄模；以及

磁鐵，其與所述模腔的一部分相結合且可操作用于將所述半導體封裝的一個或更多個順磁組件基本吸引到所述模腔的表面上。

9.根據權利要求8所述的模制裝置，其中所述磁鐵被置于所述模腔的底面以下且與所述半導體封裝的所述一個或更多個順磁組件的所需位置相結合。