[發明專利]用于二氧化硅層和下部硅層的蝕刻和摻雜組合介質

無效

• 申請號: 200680024998.2
• 申請日: 2006-06-13
• 公開（公告）號: CN101218184A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發明（設計）人: A·庫貝爾貝克;W·斯托庫姆
• 申請（專利權）人: 默克專利有限公司
• 主分類號: C03C15/00
• 分類號: C03C15/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 林柏楠;劉金輝

1.太陽能電池上的二氧化硅鈍化和抗反射層的蝕刻方法，其特征在于將含有磷酸或其鹽的蝕刻介質在單個工藝步驟中施用在整個表面上或選擇性地施用到要蝕刻的表面區域上。

2.根據權利要求1的方法，其特征在于在整個表面上或局部地將所述具有蝕刻介質的硅基底加熱至350至400℃的溫度達30至120秒，并任選地，為了另外的n⁺⁺摻雜，然后加熱至＞800℃的溫度、特別是800至1050℃的溫度達1至60分鐘。

3.根據權利要求1-2的方法，其特征在于使用可印刷的糊狀蝕刻介質。

4.根據權利要求1-2的方法，其特征在于根據稠度通過噴涂、旋涂、浸漬或通過絲網印刷、模板印刷、壓印、凹版移印或噴墨印刷施用所述蝕刻介質。

5.根據權利要求1-4的方法，其特征在于所述加熱在電熱板上、在對流爐中、通過IR輻射、UV輻射或微波進行。

6.根據權利要求1-4的方法，其特征在于使用激光、特別是用于加熱至＞800℃的IR激光進行局部加熱。

7.根據權利要求1-6的方法，用于制造具有兩級發射體的太陽能電池。

8.用于蝕刻太陽能電池上的無機鈍化和抗反射層的蝕刻介質，其包含正磷酸、偏磷酸或焦磷酸、和/或偏五氧化二磷、或其混合物作為活性組分，這些活性組分既充當蝕刻組分又充當摻雜組分。

9.根據權利要求8的蝕刻介質，其包含一種或多種磷酸的銨鹽和/或通過輸入熱能而釋放出蝕刻性磷酸的磷酸單酯或磷酸二酯。

10.根據權利要求8-9的蝕刻介質，其為糊狀，包含至少一種蝕刻和摻雜組分、溶劑、增稠劑、和任選的添加劑，例如防沫劑、觸變劑、流動控制劑、除氣劑和增粘劑。

11.根據權利要求8-10的蝕刻介質的用途，用于硅的n⁺⁺摻雜。

12.根據權利要求8-10的蝕刻介質的用途，用于制造具有兩級發射體的太陽能電池。

13.根據權利要求8-10的蝕刻介質的用途，用于根據權利要求1-7的方法中。

14.通過根據權利要求1-7一項或多項的方法制成的太陽能電池。