[發明專利]在納米電路結構和標準電子部件之間的半導體電子器件中實現電連接的方法

有效

• 申請號: 200680024973.2
• 申請日: 2006-07-07
• 公開（公告）號: CN101218169A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發明（設計）人: D·馬斯科洛;G·塞羅福利尼
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00;G11C13/02;H01L21/768
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王慶海;劉春元

1.一種用于在半導體電子器件中實現在納米電路結構和標準電子部件之間的電連接的方法，該方法包括步驟：

a)提供包括基本上彼此平行并沿著預定方向x延伸的導電納米線(2)的系列(陣列)(3)的納米電路結構；

b)在上述納米線(2)的系列(3)的上面實現絕緣層(6)；

c)在所述絕緣層(6)上形成納米線寬度b的窗口(7)的開口，納米線寬度b的該窗口(7)沿著相對于納米線(2)的延伸方向x成角度α的傾斜方向延伸以便基本上橫跨納米線(2)的整個系列(3)，暴露出所述納米線(2)的露出部分(10)的系列(11)，一個對應于每個納米線；

d)在上述絕緣層(6)上實現沿著基本上垂直于所述方向x的方向y延伸并朝著所述標準電子部件指引的多個導電管芯(4)，所述每個管芯(4)對應于所述窗口(7)重疊到納米線(2)的各個露出部分(10)上，獲得實現所述電連接的多個觸點(5)。

2.根據權利要求1的方法，其中通過下述步驟實現所述絕緣層(6)上的所述窗口(7)的開口：

在所述絕緣層(6)上實現覆蓋層(8)；

在覆蓋層(8)上限定具有上述傾斜角α和上述納米線寬度b的帶(9)；

去除對應于所述帶(9)的覆蓋層(8)，獲得絕緣層(6)的相應露出部分(6a)；

利用獲得的所述窗口(7)去除掉絕緣層(6)的所述露出部分(6a)。

3.根據權利要求2的方法，其中所述覆蓋層(8)是抗蝕劑層。

4.根據權利要求3的方法，其中通過電子平版印刷術或者壓印平版印刷術限定所述帶(9)。

5.根據權利要求1的方法，其中通過SⁿPT技術或者通過FIB在所述絕緣層(6)上實現所述窗口(7)的開口。

6.根據先前任一項所述權利要求的方法，其中以下述的方式選擇窗口(7)的所述納米線寬度b和所述傾斜角α，該方式為所述納米線(2)的露出部分(10)在平行于納米線(2)的延伸方向x的軸x方向上具有各自的非重疊突起(10a)。

7.根據先前任一項所述權利要求的方法，其中在沉積之后，借助于平版印刷術在所述絕緣層(6)上實現所述導電管芯(4)，其中所述窗口(7)是導電材料層的開口。

8.根據先前任一項所述權利要求的方法，其中所述納米線(2)的所述寬度l_y在5nm和60nm之間，優選在5nm和30nm之間。

9.根據先前任一項所述權利要求的方法，其中所述納米線(2)的系列(3)的所述間距L_y小于90nm。優選在10nm和50nm之間。

10.根據先前任一項所述權利要求的方法，其中所述窗口(7)的納米線寬度b在1nm和50nm之間，優選在1nm和30nm之間，所述傾斜角α在小數度數和幾十度之間，優選在0.1和30度之間。

11.根據先前任一項所述權利要求的方法，其中所述納米電路結構是交叉型的(1a)。