[發明專利]發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 200680024703.1
• 申請日: 2006-07-05
• 公開（公告）號: CN101218687A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發明（設計）人: 竹內良一;松村篤;渡邊隆史
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 楊曉光;李崢

1.一種發光二極管，包括：化合物半導體層，包括p-n結型發光部分；電導體，設置在所述化合物半導體層上，并且由對于從所述發光部分發射的光光學透明的導電材料形成；以及高電阻層，具有比所述電導體高的電阻，并且設置在所述化合物半導體層與所述電導體之間。

2.根據權利要求1的發光二極管，其中所述高電阻層被設置為接合到所述電導體。

3.根據權利要求1或權利要求2的發光二極管，其中所述高電阻層由非晶材料或包含非晶物質的多晶材料形成，并具有大于等于0.5nm且小于等于10nm的厚度。

4.根據權利要求3的發光二極管，其中所述非晶材料或所述包含非晶物質的多晶材料通過用離子束或中性束輻照所述半導體層的接合到所述電導體的表面側或者所述電導體的接合到所述化合物半導體層的表面側或者這兩個表面側的區域而形成。

5.根據權利要求1至4中任何一項的發光二極管，其中所述高電阻層由其載流子濃度小于等于5×10¹⁸cm^-3的化合物半導體材料形成。

6.根據權利要求1至5中任何一項的發光二極管，還包括導電類型與所述電導體相反的第二化合物半導體層，所述層接合到所述高電阻層的與其接合到所述電導體的一側相反的表面。

7.根據權利要求6的發光二極管，其中所述第二化合物半導體層由磷化鎵(GaP)形成。

8.根據權利要求6或權利要求7的發光二極管，其中所述第二化合物半導體層具有大于等于5μm的厚度和大于等于1×10¹⁷cm^-3的載流子濃度。

9.根據權利要求6至8中任何一項的發光二極管，其中在10μA的電流流動期間由所述電導體、所述高電阻層和所述第二化合物半導體層形成的接合物的擊穿電壓超過在10μA的電流流動期間所述發光二極管的正向電壓的2倍，且小于在10μA的電流流動期間所述發光二極管的反向電壓的1/2。

10.根據權利要求1至9中任何一項的發光二極管，其中所述電導體由其厚度不小于50微米(單位：μm)的導電化合物半導體材料形成。

11.根據權利要求1至10中任何一項的發光二極管，其中所述電導體由其厚度小于等于200μm的導電化合物半導體材料形成。

12.根據權利要求1至11中任何一項的發光二極管，其中所述電導體由磷化鎵(GaP)形成。

13.根據權利要求12的發光二極管，其中所述由GaP形成的電導體的表面取向落在(111)面中或者從(111)傾斜20°以內。

14.根據權利要求12或權利要求13的發光二極管，其中所述由GaP形成的電導體的反面和側面具有形成于其上的高度差為1至10μm的凹凸。

15.根據權利要求12至14中任何一項的發光二極管，其中所述第二化合物半導體層是p型的，以及所述電導體是n型的且由摻雜有添加于其中的Si、S或Te或者保持在未摻雜狀態的GaP形成。

16.根據權利要求1至15中任何一項的發光二極管，其中所述電導體具有小于等于5×10¹⁸cm^-3的載流子濃度。

17.根據權利要求1至16中任何一項的發光二極管，還包括金屬層，所述金屬層形成在所述電導體的與其上設置有所述發光部分的一側相反的一側上的表面上。

18.根據權利要求1至16中任何一項的發光二極管，其中在所述電導體的與其上設置有所述發光部分的一側相反的一側上的表面上形成透明導電膜。

19.根據權利要求1至18中任何一項的發光二極管，其中所述發光部分包含由用化學式(Al_XGa_1-X)_YIn_1-YP(0≤X≤1，0≤Y≤1)表示的成分的材料形成的半導體層。

20.根據權利要求1至19中任何一項的發光二極管，還包括跨過所述發光部分在相反側上形成的n型電極和p型電極，所述電極的落在電導體側上的一者設置在所述發光部分與所述電導體之間。